本发明的实施方式关于半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1半导体层；第2半导体层；第1多层布线层，设置在第1半导体层与第2半导体层之间，具有多个第1导电层；第2多层布线层，设置在第1多层布线层与第2半导体层之间，具有多个第2导电层；第1晶体管，具有第1半导体层中的第1杂质区域；第2晶体管，具有第2半导体层中的第2杂质区域；第1孔，将第1半导体层、第1多层布线层、第2多层布线层及第2半导体层贯通；第2孔，将第1半导体层、第1多层布线层、第2多层布线层及第2半导体层贯通；第1电极，设置在第1多层布线层中；及第2电极，设置在第1多层布线层中，夹着第1孔而与第1电极对置。