发明授权
- 专利标题： 半导体装置
-
申请号： CN201880045120.X申请日： 2018-06-07
-
公开(公告)号： CN110914961B公开(公告)日： 2023-10-10
- 发明人: 施泓安 , 中泽敏志 , 鹤见直大 , 按田义治 , 渡部平司 , 志村考功 , 细井卓治 , 野崎干人 , 山田高宽
- 申请人： 松下控股株式会社 , 国立大学法人大阪大学
- 申请人地址： 日本大阪府;
- 专利权人： 松下控股株式会社,国立大学法人大阪大学
- 当前专利权人： 松下控股株式会社,国立大学法人大阪大学
- 当前专利权人地址： 日本大阪府;
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 吕文卓
- 国际申请： PCT/JP2018/021805 2018.06.07
- 国际公布： WO2019/009006 JA 2019.01.10
- 进入国家日期： 2020-01-06
- 主分类号： H01L21/338
- IPC分类号： H01L21/338 ; H01L21/318 ; H01L21/336 ; H01L29/778 ; H01L29/78 ; H01L29/812
摘要：
半导体装置(1)具备：MIS构造，具有依次层叠的氮化物半导体层(30，40)、栅极绝缘膜(50)及栅极电极(60g)；源极电极(60s)及漏极电极(60d)，在平面视中配置成将栅极电极(60g)夹在中间，分别与氮化物半导体层(30，40)接触，栅极绝缘膜(50)包括由氮氧化膜构成的阈值控制层。
公开/授权文献
- CN110914961A 半导体装置 公开/授权日：2020-03-24
IPC分类:
