公开(公告)号：CN110914961B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201880045120.X

申请日：2018-06-07

申请人： 松下控股株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

发明人： 施泓安 ,  中泽敏志 ,  鹤见直大 ,  按田义治 ,  渡部平司 ,  志村考功 ,  细井卓治 ,  野崎干人 ,  山田高宽

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

摘要： 半导体装置(1)具备：MIS构造，具有依次层叠的氮化物半导体层(30，40)、栅极绝缘膜(50)及栅极电极(60g)；源极电极(60s)及漏极电极(60d)，在平面视中配置成将栅极电极(60g)夹在中间，分别与氮化物半导体层(30，40)接触，栅极绝缘膜(50)包括由氮氧化膜构成的阈值控制层。

公开(公告)号：CN110914961A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201880045120.X

申请日：2018-06-07

申请人： 松下电器产业株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

发明人： 施泓安 ,  中泽敏志 ,  鹤见直大 ,  按田义治 ,  渡部平司 ,  志村考功 ,  细井卓治 ,  野崎干人 ,  山田高宽

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

摘要： 半导体装置(1)具备：MIS构造，具有依次层叠的氮化物半导体层(30，40)、栅极绝缘膜(50)及栅极电极(60g)；源极电极(60s)及漏极电极(60d)，在平面视中配置成将栅极电极(60g)夹在中间，分别与氮化物半导体层(30，40)接触，栅极绝缘膜(50)包括由氮氧化膜构成的阈值控制层。