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发明授权
CN110926959B 一种用于原位中子衍射的高温高压加载装置 有权

  • 专利标题： 一种用于原位中子衍射的高温高压加载装置
  • 申请号： CN201911230653.8
    申请日： 2019-12-04
  • 公开(公告)号： CN110926959B
    公开(公告)日： 2022-04-05
  • 发明人: 李欣 , 江明全 , 贺端威
  • 申请人： 四川大学
  • 申请人地址： 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
  • 专利权人： 四川大学
  • 当前专利权人： 四川大学
  • 当前专利权人地址： 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
  • 主分类号： G01N3/18
  • IPC分类号： G01N3/18 ;  G01N23/20
一种用于原位中子衍射的高温高压加载装置
摘要：
本发明提供一种用于原位中子衍射的高温高压加载装置，包括压砧组件，所述压砧组件包括砧面相对的上压砧、下压砧，所述上压砧、下压砧的砧面分别相对于上压砧、下压砧轴向向内凹陷形成上砧面、下砧面，还包括封垫组件和密封组件；其中，封垫组件设置于两个压砧之间，封垫组件内部设置样品腔，所述密封组件包括从上向下依次环套设于封垫组件外部的上密封环、绝缘环、下密封环。
公开/授权文献
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