本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底以及位于衬底上的栅极结构，所述衬底包括势阱，势阱中形成有第一通道、第二通道、第三通道和第四通道，所述第一通道和所述第二通道连通，第一通道和第二通道注入相同的离子，第三通道和第四通道注入相同的离子。本发明还提供了一种晶体管和一种可变电容，均包括如上述所述的半导体结构。本发明还提供了一种元器件，包括晶体管以及位于所述晶体管旁边的可变电容，晶体管和可变电容的势阱相同。在本发明提供的半导体结构、晶体管、可变电容及元器件中，晶体管和可变电容的势阱为同一类型的势阱，由于是同一类型的势阱，无需考量类似N型势阱和P型势阱之间的最小隔离需求，可以有效缩减版图面积。