本发明公开了一种AlN陶瓷与Cu的新型连接方法，在AlN陶瓷表面丝网印刷一层CuO浆料，烧结成膜制得CuO层，在还原性气氛长时间保温，CuO还原为Cu制得种子层，利用Ag作中间层，将带有种子层的AlN与Cu在真空炉中焊接实现AlN陶瓷与Cu的新型连接。本发明属于微电子封装领域，采用成本较低的CuO与Ag，降低了焊接温度，利用CuO与AlN发生的反应生成了可靠的连接层，用Ag和Cu之间形成的固溶体和共晶组织，在焊缝组织中不生成任何硬而脆的化合物，提高了接头的连接强度，同时采用多步工艺的方式，有效的解决了排胶过程中容易产生孔洞等缺陷；加工条件简单，对于加工环境，设备等要求低，有利于批量生产。