本发明属于表面涂层领域，公开一种致密单晶型SiC涂层的制备方法。利用化学气相沉积法制备并且进气口和出气口分别设在化学气相沉积室的下端和上端，进气口的上方位置固定设有多层布气盘，制备步骤如下：将工件悬挂于布气盘上方的化学气相沉积室内，在温度725~1125℃下以30~50 L/min的流量通入H2，处理时间为1~3 h；然后将H2处理过的工件放入在工业乙醇中进行超声清洗，吹干；将工件再次放入布气盘上方的化学气相沉积室内，在温度为500~650℃时通入还原H2，温度达到1100~1250℃时，通入载气H2，此时调节硅源阀门，使硅源消耗速率为（360~800）g±20 g/h，沉积3~5 h，即在工件表面制得致密单晶型SiC涂层。本发明制得的SiC涂层几乎为（111）晶型，涂层中硅碳比接近1∶1，且涂层致密无分层。