发明公开
- 专利标题: 一种叠层片式高频元件的内电极引出结构及其制作方法
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申请号: CN201911357448.8申请日: 2019-12-25
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公开(公告)号: CN111029063A公开(公告)日: 2020-04-17
- 发明人: 毛耀文 , 陆达富 , 王文杰 , 聂真真
- 申请人: 深圳顺络电子股份有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市龙华区观澜街道大富苑工业区顺络观澜工业园
- 专利权人: 深圳顺络电子股份有限公司
- 当前专利权人: 深圳顺络电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市龙华区观澜街道大富苑工业区顺络观澜工业园
- 代理机构: 深圳新创友知识产权代理有限公司
- 代理商 江耀纯
- 主分类号: H01C1/14
- IPC分类号: H01C1/14 ; H01C17/28 ; H01F17/00 ; H01F27/29 ; H01F41/00 ; H01G4/228 ; H01G13/00
摘要:
本发明公开叠层片式高频元件的内电极引出结构及其制作方法,该结构包括主体为铁氧体基片的通孔层和引出层,通孔层位于内电极层与引出层之间,引出层位于通孔层与端电极之间;通孔层上开设有第一通孔,且与内电极层接触的一面上印刷有第一导电结构,第一导电结构填充第一通孔且与内电极线圈端部连接;引出层上开设多个第二通孔,且其中一面按预定图案印刷有第二导电结构,第二导电结构填充并连接所有第二通孔,以使第二导电结构在引出层的所述其中一面呈所述预定图案,在引出层的另一面呈与多个第二通孔一致的图案;第二导电结构一面与第一导电结构接触、另一面与端电极接触,以使内电极线圈端部依次通过第一导电结构、第二导电结构引出至端电极。