- 专利标题： 基于界面缺陷态发光CdS/Si原型近红外光二极管的制备方法
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申请号： CN201911326232.5申请日： 2019-12-20
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公开(公告)号： CN111048640A公开(公告)日： 2020-04-21
- 发明人: 李勇 , 姬鹏飞 , 周丰群 , 宋月丽 , 田明丽 , 袁书卿
- 申请人： 平顶山学院
- 申请人地址： 河南省平顶山市新城区未来路南段
- 专利权人： 平顶山学院
- 当前专利权人： 平顶山学院
- 当前专利权人地址： 河南省平顶山市新城区未来路南段
- 代理机构： 郑州大通专利商标代理有限公司
- 代理商 石丹丹
- 主分类号： H01L33/28
- IPC分类号： H01L33/28 ; H01L33/02 ; H01L33/00 ; H01L21/02
摘要：
本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种基于界面缺陷态发光CdS/Si原型近红外光二极管的制备方法，首先以多孔多晶硅模板为衬底，利用磁控溅射技术在多孔多晶硅模板的表面预沉积CdS薄膜；然后再利用化学水浴法沉积一层CdS薄膜，制备CdS/Si异质结原型二极管；最后进行退火处理，对异质结界面的缺陷态进行调控。本发明利用CdS/Si异质结的缺陷态发光获得近红外光发射，提高二极管的性能。
公开/授权文献
- CN111048640B 基于界面缺陷态发光CdS/Si原型近红外光二极管的制备方法 公开/授权日：2021-03-26
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