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公开(公告)号：CN114000108A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111280521.3
申请日：2021-10-30
申请人： 平顶山学院
摘要： 本发明属于半导体异质结器件技术领域，特别是涉及一种在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法，该方法首先以p型硅为衬底，利用直流磁控溅射技术在硅片上依次沉积Cd和Zn金属纳米层，制备出纳米结构Zn/Cd/Si；然后将纳米结构Zn/Cd/Si在乙二醇溶液中与Se直接反应，制备出ZnSe/CdSe/Si异质结。本发明利用磁控溅射技术和元素直接反应相结合的方法，实现在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe纳米薄膜调控层，一方面，减小了ZnSe/CdSe界面的位错缺陷态密度，另一方面，嵌入的CdSe纳米薄膜调控层易于控制，从而提高了基于ZnSe/CdSe/Si异质结电子器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN109698257B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201910023858.2
申请日：2019-01-10
申请人： 平顶山学院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/074
摘要： 本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种纳米CdS/Si异质结的制备方法，该方法利用磁控溅射技术和溶剂热法，首先以单晶硅片为衬底，利用磁控溅射技术在Si片上沉积金属Cd，制备出纳米结构Cd/Si，然后利用溶剂热法腐蚀金属Cd制备纳米CdS/Si异质结。本发明简单、高效，易于调控，且重复率达到100％。
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公开(公告)号：CN111048640B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201911326232.5
申请日：2019-12-20
申请人： 平顶山学院
摘要： 本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种基于界面缺陷态发光CdS/Si原型近红外光二极管的制备方法，首先以多孔多晶硅模板为衬底，利用磁控溅射技术在多孔多晶硅模板的表面预沉积CdS薄膜；然后再利用化学水浴法沉积一层CdS薄膜，制备CdS/Si异质结原型二极管；最后进行退火处理，对异质结界面的缺陷态进行调控。本发明利用CdS/Si异质结的缺陷态发光获得近红外光发射，提高二极管的性能。
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公开(公告)号：CN110007472A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910439596.8
申请日：2019-05-24
申请人： 平顶山学院
IPC分类号： G02B27/09
摘要： 本发明涉及一种可自动调节的激光扩/缩束器；该激光扩/缩束器含有水平设置的镜筒，镜筒的进光口中依次安装有入口凹透镜﹑入口凸透镜﹑光阑，光阑调节机构的动力输出端与光阑的调节手柄连接，镜筒的出光口中依次安装有出口凹透镜﹑出口凸透镜，部分反射镜固定安装在光阑和出口凸透镜之间，部分反射镜倾斜45°设置，激光面积传感器位于部分反射镜的反射光路中，且激光面积传感器的接收面与部分反射镜的反射光线垂直；控制电路中的步进电机的转轴与光阑调节机构的动力输入端连接，控制电路中的控制器的光线信号输入口与激光面积传感器的信号输出口连接；本发明可自动对激光束进行扩束或缩束，且扩束或缩束的精确度高。
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公开(公告)号：CN110007472B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910439596.8
申请日：2019-05-24
申请人： 平顶山学院
IPC分类号： G02B27/09
摘要： 本发明涉及一种可自动调节的激光扩/缩束器；该激光扩/缩束器含有水平设置的镜筒，镜筒的进光口中依次安装有入口凹透镜﹑入口凸透镜﹑光阑，光阑调节机构的动力输出端与光阑的调节手柄连接，镜筒的出光口中依次安装有出口凹透镜﹑出口凸透镜，部分反射镜固定安装在光阑和出口凸透镜之间，部分反射镜倾斜45°设置，激光面积传感器位于部分反射镜的反射光路中，且激光面积传感器的接收面与部分反射镜的反射光线垂直；控制电路中的步进电机的转轴与光阑调节机构的动力输入端连接，控制电路中的控制器的光线信号输入口与激光面积传感器的信号输出口连接；本发明可自动对激光束进行扩束或缩束，且扩束或缩束的精确度高。
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公开(公告)号：CN114814928A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210419940.9
申请日：2022-04-21
申请人： 平顶山学院
IPC分类号： G01T1/34
摘要： 本发明属于核数据测量技术领域，具体涉及一种某种元素生成某种核素的反应截面的测量方法及系统，该测量方法首先制备样品并对样品进行中子辐照；然后测量中子辐照后样品中生成相同核素的特征γ射线全能峰总计数；最后利用某种元素生成某种核素的反应截面的计算公式获得某核素生成截面。本发明给出某种元素生成某种核素的反应截面的科学定义，并给出某种元素生成某种核素的反应截面的一般计算公式，公式原理清楚、计算简单快捷，对重要同位素的生产、对反应堆结构材料的选择以及相关核物理基础研究和应用研究等都有重要的意义。
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公开(公告)号：CN111048640A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911326232.5
申请日：2019-12-20
申请人： 平顶山学院
摘要： 本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种基于界面缺陷态发光CdS/Si原型近红外光二极管的制备方法，首先以多孔多晶硅模板为衬底，利用磁控溅射技术在多孔多晶硅模板的表面预沉积CdS薄膜；然后再利用化学水浴法沉积一层CdS薄膜，制备CdS/Si异质结原型二极管；最后进行退火处理，对异质结界面的缺陷态进行调控。本发明利用CdS/Si异质结的缺陷态发光获得近红外光发射，提高二极管的性能。
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公开(公告)号：CN108467549A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810269556.9
申请日：2018-03-29
申请人： 平顶山学院
IPC分类号： C08L23/16 , C08L91/00 , C08K13/04 , C08K7/08 , C08K3/00 , C08K3/04 , C08K3/34 , C08K3/36 , H01B3/28
摘要： 本发明提供的一种耐高温抗老化的电力绝缘材料及其制备方法，其根据氧化锆物质本身的高熔点、不氧化和其他高温优良特性，将氧化锆纤维制造成氧化锆纤维网固定套在绝缘物体的外部，从而使得绝缘物体在本身抗氧化耐高温的基础上又得到了一层保护；氧化锆纤维在1500℃以上超高温氧化气氛下长期使用，最高使用温度高达2200℃，甚至到2500℃仍可保持完整的纤维形状，并且高温化学性质稳定、耐腐蚀、抗氧化、抗热震、不挥发、无污染，从而大大提高本绝缘材料的使用寿命；此外，由于氧化锆纤维的优良特性，从而减少了对其他原材料的使用，从而节约了资源，减少制造成本与步骤。
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公开(公告)号：CN114000108B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202111280521.3
申请日：2021-10-30
申请人： 平顶山学院
摘要： 本发明属于半导体异质结器件技术领域，特别是涉及一种在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法，该方法首先以p型硅为衬底，利用直流磁控溅射技术在硅片上依次沉积Cd和Zn金属纳米层，制备出纳米结构Zn/Cd/Si；然后将纳米结构Zn/Cd/Si在乙二醇溶液中与Se直接反应，制备出ZnSe/CdSe/Si异质结。本发明利用磁控溅射技术和元素直接反应相结合的方法，实现在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe纳米薄膜调控层，一方面，减小了ZnSe/CdSe界面的位错缺陷态密度，另一方面，嵌入的CdSe纳米薄膜调控层易于控制，从而提高了基于ZnSe/CdSe/Si异质结电子器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN109507762A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201910032562.7
申请日：2019-01-14
申请人： 平顶山学院
IPC分类号： G02B1/00
摘要： 本发明属于微纳光电器件电磁波调控及传感检测技术领域，特别是涉及一种用于远红外域折射率传感器的偏振不敏感全介质超表面结构及制作方法，该超表面包括基底和位于基底表面的呈二维周期性分布的同心双闭合介质谐振环单元；所述基底和同心双闭合介质谐振环单元所用基材为全介质材料。该超表面由于结构上的高度对称性，对激发电磁波偏振不敏感；且可以通过几何参数的调制，获得远红外域高调制深度、高Q值的Fano共振线形；同时由于构筑超表面的基材首选全介质Si和SiO2材料，工艺成熟，简单易行，制作成本低廉。
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