发明授权
- 专利标题: 铁磁性半金属晶体及其制备方法和应用
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申请号: CN201911197149.2申请日: 2019-11-29
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公开(公告)号: CN111081868B公开(公告)日: 2022-11-11
- 发明人: 秦胜妍 , 屈军毅
- 申请人: 深圳市立洋光电子股份有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市宝安区石岩街道上屋社区石环路202号创富科技园B栋3-5层
- 专利权人: 深圳市立洋光电子股份有限公司
- 当前专利权人: 深圳市立洋光电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市宝安区石岩街道上屋社区石环路202号创富科技园B栋3-5层
- 代理机构: 深圳中细软知识产权代理有限公司
- 代理商 孙凯乐
- 主分类号: H01L43/08
- IPC分类号: H01L43/08 ; H01L43/10 ; H01L43/12
摘要:
本发明涉及一种铁磁性半金属晶体及其制备方法、以及该铁磁性半金属晶体的应用。铁磁性半金属晶体的化学式如下:CuxZrySe2,其中,0.02≤x≤0.1,0.9≤y≤0.98,0.975≤x+y≤1。上述铁磁性半金属晶体通过ZrSe2中掺杂Cu得到,其化学式为:CuxZrySe2。通过分别对ZrSe2和CuxZrySe2进行磁性测量表明,ZrSe2为抗磁性半导体,CuxZrySe2为垂直磁场的铁磁性半金属。也就是说,通过在ZrSe2中掺杂Cu,成功的将ZrSe2由抗磁性变为铁磁性。
公开/授权文献
- CN111081868A 铁磁性半金属晶体及其制备方法和应用 公开/授权日:2020-04-28