本发明涉及一种具有双面电流限制结构的半导体激光器及制备方法，属于半导体激光器技术领域，激光器从下至上设有下电极层、衬底、缓冲层、下包层、有源层、上包层、接触层，衬底与缓冲层之间水平方向间隔设有掩盖层；在衬底上逐渐生长掩盖层、外延层；接触层上腐蚀出脊型结构，脊型结构包括凸部和凹部，凹部下陷至上包层中；接触层的脊型结构上方生长绝缘层，凸部顶端的绝缘层设有空断间隔，绝缘层上方蒸镀上电极层，在衬底下表面蒸镀下电极层。相比传统的单面电流限制结构，利用本发明的制备方法制备的双面电流限制结构激光器，仅需要一次外延及一次外延层刻蚀工艺，不会增加激光器制作步骤和成本，不会影响激光器的产出率。