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公开(公告)号：CN114865455A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210422309.4
申请日：2022-04-21
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明公开一种应变非对称结构的半导体激光器，其中，所述激光器包括由下至上依次设置的：GaAs衬底、GaAs过渡层、Alx1Ga1‑x1As下渐变层、Alx2Ga1‑x2As下限制层、Alx3Ga1‑x3As下波导层、Alx4Ga1‑x4Asy1P1‑y1垒层、GaAs缓冲层、Inx5Ga1‑x5As量子阱、Alx6Ga1‑x6As上波导层、Alx7Ga1‑x7As上渐变层、Alx8Ga1‑x8As上限制层、Alx9Ga1‑x9As上渐变层和GaAs帽层。本发明通过非对称波导层及限制层设计，增大载流子限制能力，压缩光场向N侧偏移，减少吸收损耗，提高转换效率及工作可靠性。
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公开(公告)号：CN112838475A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911163712.4
申请日：2019-11-25
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/20
摘要： 本发明实施例公开了一种基于张应变扩散阻挡层的激光器件及其制备方法，所述器件包括由下至上依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、Gax1In1‑x1P下过渡层、Al1‑x2Inx2P下限制层、(Al1‑x3Gax3)y1In1‑y1P下波导层、Ga1‑x4Inx4P第一量子阱、(Al1‑x5Gax5)y2In1‑y2P垒层、Ga1‑x6Inx6P第二量子阱、(Al1‑x7Gax7)y3In1‑y3P上波导层、(Al1‑x8Gax8)y4In1‑y4P扩散阻挡层、Al1‑x9Inx9P第一上限制层、Ga1‑x10Inx10P腐蚀终止层、Al1‑x11Inx11P第二上限制层、Ga1‑x12Inx12P上过渡层和GaAs帽层。本发明采用张应变扩散阻挡层，减少了P限制层掺杂剂向有源区的扩散，降低了内损耗；带隙增加，降低了N限制层电子扩散；提高了光限制因子。与现有生长方法相比，此方法可提高光电转效率，提高半导体激光器的高温高可靠性，有利于实现小功率红光激光器的高温高可靠性应用。
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公开(公告)号：CN112117641A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910542284.X
申请日：2019-06-21
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/323
摘要： 本发明公开了一种GaAs基多结红光激光器及其制备方法，所述激光器包括GaAs衬底，所述GaAs衬底上自下而上依次生长有GaAs低温缓冲层、第一激光节、GaInP腐蚀阻挡层和第一GaAs帽层，所述第一激光节、GaInP腐蚀阻挡层生长有若干个发光层；所述发光层自下而上包括若干个隧道结和第二激光节，所述最接近第一激光节的隧道结在第一激光节上生长，所述第二激光节在隧道结上生长；本发明不仅通过隧道结的设计实现了多节激光材料的生长，在较小的电流下获得较大的输出功率，提高了激光器的发光功率；同时由于AlInP上限制层、第二GaAs帽层之间的界面宽带不连续，本技术方案引入了(AlxGa1‑x)yIn1‑yP晶格过渡层，降低电压，提高器件的可靠性和寿命，具有较高的实用性。
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公开(公告)号：CN105834171B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610362921.1
申请日：2016-05-27
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： B08B7/00 , C23C16/458 , C30B25/12
摘要： 一种利用MOCVD设备对石墨托盘进行腐蚀清洗的方法，包括以下步骤：（1）将石墨托盘放入MOCVD设备的反应室中；（2）调整反应室和反应室上盖石英制顶板的温度；（3）通入氯化氢，进行预腐蚀；（4）提升氯化氢流量，根据石墨托盘生长材料厚度来决定腐蚀的速率；（5）停止通入氯化氢，对石墨托盘进行烘烤；（6）关闭加热，反应室温度降至100℃以下时，腐蚀清洗完毕。本发明直接在MOCVD设备的基础上对石墨盘进行腐蚀，不必额外进行设备改造，通过氯化氢腐蚀对石墨托盘进行清洗，既解决了腐蚀均匀性的难题，又对腐蚀程度进行了精确把握，间接减小了对石墨托盘的影响，延长了石墨托盘的使用寿命，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN117937238A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211266767.X
申请日：2022-10-17
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种复合波导的640nm半导体激光器件及其制备方法，本发明通过在波导层与限制层中间复合高Al组分AlGaInP、低Al组分AlGaInP，利用高Al组分AlGaInP提高载流子限制能力，抑制载流子溢出；利用低Al组分AlGaInP，实现光陷阱设计，提高有源区光场集中度，降低光场向限制层的扩展，减少吸收损耗，提高光电转换效率；本发明利用N、P波导层非对称设计，压缩光场向N侧偏移，减少吸收损耗；本发明减薄P侧设计，提高散热能力，减少废热累积对器件性能的影响。
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公开(公告)号：CN117833026A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211200600.3
申请日：2022-09-29
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及激光器外延片制备技术领域，具体公开一种大功率红外光外延片。所述外延片的结构层从下到上依次包括：衬底、缓冲层、腐蚀截至层、N侧欧姆接触层、N型粗化层、N型电流扩展层、N型限制层、波导层‑量子阱结构、P型限制层、P型超晶格电流扩展层、接触层；其中，所述波导层‑量子阱结构包括量子阱层及其上、下面上均设置的波导层，该量子阱层中的阱层、垒层材料分别为AlGaInAs、AlGaAsP。本发明大功率红外外延结构利用相反应力的量子阱AlGaInAs/AlGaAsP加上张应力的AlGaAs/AlGaAsP超晶格电流扩展层实现了应力消除，提升了外延结构的红外光发射功率。
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公开(公告)号：CN115763653A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211316425.4
申请日：2022-10-26
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01L33/06 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/68 , H01L33/00 , H01L33/14 , H01L33/30
摘要： 本发明涉及一种提高发光效率的LED外延结构及制备方法，属于LED外延结构技术领域。LED外延结构包括从下到上依次设置的衬底、缓冲层、N型半导体层、复合量子阱层、边缘量子垒层、电子阻挡层和P型半导体层，其中，复合量子阱层包括交替设置的量子垒和量子阱，生长方向为沿着衬底垂直指向于N型半导体层，电子阻挡层的势垒高度高于边缘量子垒层的势垒高度，使边缘量子垒层在复合量子阱层和电子阻挡层之间形成空穴存储区和电子阻挡区域。本发明增加空穴在靠近量子阱区域的储存，避免电子与空穴在非复合量子阱区域发生复合发光，从而提升LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN112398002B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201910758929.3
申请日：2019-08-16
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种基于渐变波导层的小功率激光器及其制备方法，激光器中(Al1‑x3Gax3)y1In1‑y1P下限制层和(Al1‑x5Gax5)y3In1‑y3P下波导层之间设置有(Al1‑x4Gax4)y2In1‑y2P组分渐变下波导层；(Al1‑x10Gax10)y6In1‑y6P上波导层和Al1‑x12Inx12P上限制层之间设置有(Al1‑x11Gax11)y7In1‑y7P组分渐变上波导层。本发明采用半渐变半稳定非对称宽波导结构降低波导层与限制层界面的势垒尖峰，保证量子阱发光区稳定生长；减少空穴对光的吸收，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN111342344B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201811545605.3
申请日：2018-12-18
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 一种光子晶体大功率激光器制备方法,通过在量子阱发光层和下布拉格反射层之间加入隔离层，通过在生长完毕外延片后进行激光刻蚀形成空气柱成为光子晶体，量子阱发光层工作产生的光子只能通过共振隧道效应穿越光子晶体表面，能有效提高更宽的谐调范围和更窄的线宽，在一个激光器集成下布拉格发射层和上布拉格反射层，形成两个独立的光栅，实现更宽的波长谐调范围，以及更窄的光谱线宽，更高的功率，受激辐射的光与外来的引起受激辐射的光有相同的频率、位相、偏振及传播方向。通过受激辐射，可以实现同态光子数放大从而得到光子简并度极高的相干光。由于目前激光器功率普遍较低，高功率能够实现激光长距离、多路等更广泛的应用。
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公开(公告)号：CN112111727A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910542292.4
申请日：2019-06-21
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种MOCVD上盖维护后快速恢复的方法，方案一中利用烘箱对上盖进行烘烤，该方案水氧的去除效率高，时间短，但由于烘箱属于外部设备，在操作时容易引入其他杂质；方案二中利用外接循环水管路高温水循环，去除水氧的工作效率相比较方案一来说较低，但由于高温水在上盖、下盖内循环流动，反应室内的水氧去除较为彻底；方案三将方案一、方案二结合，不仅有效提高了反应室内的水氧去除效率，也能够保证反应室内的水氧被有效彻底的清除；本技术方案大大加速了在维护过程中残余的水氧的去除，同时加速了反应室腔体生长环境的恢复，提高了设备利用率，间接提高设备产量，具有较好的实用性。
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