Invention Publication
- Patent Title: 半导体器件及其制造方法和系统
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Application No.: CN201911051119.0Application Date: 2019-10-31
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Publication No.: CN111128999APublication Date: 2020-05-08
- Inventor: 黄博祥 , 刘钦洲 , 陈胜雄 , 张丰愿 , 庄惠中 , 汪孟学 , 郑仪侃 , 陈俊臣
- Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹
- Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹
- Agency: 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- Agent 章社杲; 李伟
- Priority: 62/753,269 2018.10.31 US
- Main IPC: H01L27/02
- IPC: H01L27/02 ; H01L21/67 ; H01L21/48

Abstract:
一种生成包括第一金属化层级(M_lst层级)的布局图的方法包括:在布局图中识别填充单元和基本上邻接填充单元的第一功能单元;第一功能单元包括第一和第二侧边界、M_lst层级中的第一布线图案,并且表示第一功能单元区域中的相应的第一导体;并且切割图案的第一组和第二组位于第一布线图案的相应部分上面,并且与相应的第一和第二侧边界基本对准;调整第二组的相应的一个或多个选择的切割图案的一个或多个位置,从而相应地延长一个或多个选择的第一布线图案,以便成为跨越第一功能单元的第二边界延伸到填充单元中的相应的第一延长布线图案。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法和系统。
Public/Granted literature
- CN111128999B 半导体器件及其制造方法和系统 Public/Granted day:2022-09-16
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IPC分类: