- 专利标题： 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
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申请号： CN201910212028.4申请日： 2019-03-20
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公开(公告)号： CN111146112B公开(公告)日： 2024-01-12
- 发明人: 水口靖裕 , 松井俊
- 申请人： 株式会社国际电气
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社国际电气
- 当前专利权人： 株式会社国际电气
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理商 陈伟; 王娟娟
- 优先权： 2018-208138 2018.11.05 JP
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; H01L21/02 ; C23C16/455 ; C23C16/50
摘要：
本发明公开了衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。其技术问题在于，提高每个衬底的处理均匀性。为此，所提供的技术具有：处理执行部，其基于程序处理衬底；第1控制部，其对程序进行处理；和第2控制部，其基于从第1控制部接收到的数据控制处理执行部，第1控制部进行设于其他衬底处理装置的第1控制部的运转数据的判定，当判定出在其他衬底处理装置的第1控制部中发生了不良情况时，能够执行设于其他衬底处理装置的第1控制部的替代控制。
公开/授权文献
- CN111146112A 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 公开/授权日：2020-05-12