本发明提供一种半导体生产设备的清洗方法及半导体工艺方法，半导体生产设备包括反应腔室，反应腔室的内壁沉积有污染物，清洗方法包括：于反应腔室的底部设置挡片晶圆；于反应腔室中通入等离子体，等离子体与污染物进行化学反应生成气体及固体颗粒，固体颗粒沉积于挡片晶圆表面，气体随等离子体的排出口排出。通过本发明的清洗方法可以有效降低反应腔室内壁上黏附的微尘粉粒(污染物)剥落至晶圆表面所导致的缺陷，由此提高产品的良率，降低机台维护周期及降低生产成本。