发明授权
- 专利标题： 一种紫外LED外延结构及其生长方法
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申请号： CN202010043536.7申请日： 2020-01-15
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公开(公告)号： CN111244237B公开(公告)日： 2021-04-30
- 发明人: 康建 , 蔡武 , 马刚 , 米亭亭 , 林秀娟 , 陈向东 , 梁旭东
- 申请人： 圆融光电科技股份有限公司
- 申请人地址： 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号
- 专利权人： 圆融光电科技股份有限公司
- 当前专利权人： 圆融光电科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号
- 代理机构： 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 黄健; 臧建明
- 主分类号： H01L33/06
- IPC分类号： H01L33/06 ; H01L33/32 ; H01L33/00
摘要：
本发明提供一种紫外LED外延结构及其生长方法，该外延结构包括多量子阱结构，多量子阱结构由下至上依次包括电子减速层、前置发光层以及后置发光层；其中，电子减速层包括至少一组由势阱层InaGa1‑aN和势垒层AlxGa1‑xN层叠设置而成的第一量子阱结构，前置发光层包括至少一组由势阱层InbGa1‑b和势垒层AlyGa1‑yN层叠设置而成的第二量子阱结构，后置发光层包括至少一组由势阱层IncGa1‑cN和势垒层AlzGa1‑zN层叠设置而成的第三量子阱结构，0.01
公开/授权文献
- CN111244237A 一种紫外LED外延结构及其生长方法 公开/授权日：2020-06-05