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公开(公告)号：CN116031339A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211694642.7
申请日：2022-12-28
申请人： 马鞍山杰生半导体有限公司 , 圆融光电科技股份有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，提供了一种量子阱发光结构及其制备方法和应用，所述量子阱发光结构为顺次层叠的InxGa1‑xN层、AlN层、InyGa1‑yN层、AlN层、InxGa1‑xN层。本发明通过控制量子阱中In的含量，有效的改善量子阱的发光情况；并且通过在InyGa1‑yN层和InxGa1‑xN层中间生长AlN层，达到了降低量子阱结构缺陷密度的目的。本发明还提供了所述量子阱发光结构的制备方法，在生长AlN层过程中采用复合气体，使得量子阱/垒的界面质量得到大幅提高，降低界面间的粗糙程度，改善量子阱的发光性能。本发明提供的量子阱发光结构，显著的解决了蓝移问题，提升了二极管的亮度。
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公开(公告)号：CN115528148A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211190424.X
申请日：2022-09-28
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/44 , H01L21/205 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B25/16
摘要： 本申请提供一种发光二极管制造方法及发光二极管，发光二极管制造方法，包括提供衬底；在衬底上依次生长缓冲层、至少一层三维结构层、至少一层二维结构层、N型掺杂层、量子阱发光层和P型掺杂层；其中，三维结构层的第一生长条件为：转速500‑1300转/分、温度1000‑1200℃、压力300‑600托；二维结构层的第一生长条件为：转速500‑1300转/分、温度1000‑1200℃、压力10‑300托；三维结构层的第二生长条件为：转速40‑100转/分、温度1000‑1200℃、压力100‑500托；二维结构层的第二生长条件为：转速40‑100转/分、温度1000‑1200℃、压力10‑100托。本申请有利于降低外延结构层的翘曲度，有利于提升发光二极管波长的均匀性。
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公开(公告)号：CN115172558A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211000379.7
申请日：2022-08-19
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有反射电极结构的LED芯片及其制备方法，属于半导体技术领域，包括：金属电极层、ITO透明导电层、CBL电流阻挡层、金属保护层、反射金属层以及外延层；通过将反射金属层移植到CBL结构中，形成具有反射作用的全新CBL结构的LED芯片结构。本发明既能反射电极下面的光线使之不被金属吸收，又能有效的扩散注入电流达到提高电流均匀性的目的，两者的作用都可以提高光的提取效率增加亮度，且金属反射层不参与导电不会主动产生热量，对反射电极的可靠性有很大提高。
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公开(公告)号：CN115148872A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210986139.2
申请日：2022-08-17
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体结构技术领域，尤其涉及一种深紫外LED外延结构及其制备方法。本发明提供了一种深紫外LED外延结构，包括由下自上依次层叠设置的衬底、缓冲层、AlN本征层、应力调控层、电子注入层、电流扩散层、多量子阱有源层、复合电子阻挡层、空穴注入层和P型接触层；所述复合电子阻挡层包括由下自上依次层叠设置的第一AlGaN主体结构层、吸收层和第二AlGaN主体结构层。本发明所述深紫外LED外延结构具有较高的光电转化效率和老化寿命。
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公开(公告)号：CN110739374B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201911023427.2
申请日：2019-10-25
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种发光二极管中电子阻挡层的生长方法和发光二极管，生长方法包括：1)在800‑930℃和200Torr下，向反应设备中通入氮气、氨气、三甲基铝、三甲基镓以及三甲基铟，在量子阱发光层上生长第一AlxInyGa1‑x‑yN层后，停止通入所述氮气、氨气、三甲基铝、三甲基镓以及三甲基铟；2)向反应设备中通入氢气，使第一AlxInyGa1‑x‑yN层转化为第一AlxGa1‑xN层；3)循环执行步骤1)‑步骤2)T次，得到电子阻挡层AlxGa1‑xN；其中，0＜x＜1，0＜y＜1，x＞y。该方法有助于在对量子阱结构不产生消极影响的基础上生长高质量的电子阻挡层。
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公开(公告)号：CN109888079A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910059514.7
申请日：2019-01-22
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种深紫外发光二极管封装结构，包括：绝缘基板、发光二极管芯片、焊垫以及透光组件，其中，所述绝缘基板的边沿上开设有沟槽，所述透光组件的底端粘接在所述沟槽内，且所述透光组件和所述绝缘基板共同围成封闭的容纳空间，所述发光二极管芯片和所述焊垫位于所述容纳空间内，所述焊垫设置在所述绝缘基板上，所述发光二极管芯片与所述焊垫电连接，本发明提供的封装结构将透光组件粘结在绝缘基板上开设在沟槽内，使得粘结材料不会被深紫外光直接照射，避免了粘结材料出现性能劣化的情况，保证了封装结构的密封性能，提升了封装结构的抗剪切力，延长了封装结构的使用寿命。
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公开(公告)号：CN106972086B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710351107.4
申请日：2017-05-17
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种具有氮化镓量子点的紫外LED的外延结构及其生长方法，生长方法包括如下步骤：1)在衬底上，从下至上依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层；2)在所述N型掺杂层上生长Q个量子阱结构，所述每个量子阱结构包含量子阱层和量子垒层AlyGa1‑yN，并且所述量子阱层包含M个AlxGa1‑xN‑GaN量子点，其中，1≤Q≤50，1≤M≤10，0＜x＜1，0＜y＜1，x＜y，且Q、M均为正整数；3)在所述Q个量子阱结构上，从下至上依次生长电子阻挡层、P型掺杂AlvGa1‑vN层和P型掺杂GaN层，其中，0＜v＜1，v＞y。本发明能够极大地提高电子空穴复合几率，提高紫外LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN106098866B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201610495474.7
申请日：2016-06-27
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提供一种发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管，生长方法包括：在衬底上，从下至上依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层、量子阱发光层及P型掺杂层；其中，控制所述非掺杂层晶体的生长方向、成核粒度以及成核密度。本发明的生长方法能够降低外延结构生长时由于晶格失配产生的内应力，从而避免由于内应力过大而造成的衬底崩裂或GaN晶体表面出现龟裂。
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公开(公告)号：CN105244420B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510547960.4
申请日：2015-08-28
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供种GaN基发光二极管的制作方法,包括:在基板上形成外延叠层;在外延叠层上形成电流阻挡层图案和透明导电层图案;进行干法刻蚀,使得部分N型第半导体层裸露,形成台面;在台面上形成绝缘保护层,对所述绝缘保护层进行电极光刻,形成第电极开孔和第二电极开孔,在电极开孔内形成金属电极,从而形成发光二极管。本发明提供的GaN基发光二极管的制作方法,通过调整各结构的光刻和刻蚀顺序,使得总工艺流程中仅需要经过三次光刻即可获得与采用常规工艺获得的结构相同的发光二极管,减少了发光二极管的制作时间,降低了材料成本和生产成本。
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公开(公告)号：CN105098018B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510293533.8
申请日：2015-06-01
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/46
摘要： 本发明提供一种倒装LED芯片的制造方法，该方法中在光刻胶上覆盖金属叠层，剥离光刻胶上的金属叠层，采用二次反转剥离将剩余的上述金属叠层的最上层金属，或者最上层金属和部分次上层金属剥离，以将剩余的上述金属叠层上的DBR剥离，其中，选用金属材料作为剥离材料，不会对DBR的成膜温度及时间带来限制，可以采用合适的温度和周期对形成DBR，实现了DBR的高反射率、宽反射光谱范围、结构性能优良，进而获得了性能更稳定可靠的LED芯片；另外，通过对金属叠层进行部分剥离，可以使得剩余部分的金属叠层作为DBR的导电材料，节约了材料且简化了工艺。
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