发明授权
- 专利标题: 等离子体处理装置和等离子体处理方法
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申请号: CN201911220416.3申请日: 2019-12-03
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公开(公告)号: CN111261511B公开(公告)日: 2024-06-18
- 发明人: 塚原利也 , 山边周平 , 谷地晃汰 , 佐藤徹治 , 内田阳平 , 铃木步太 , 田村洋典 , 花冈秀敏 , 佐佐木淳一
- 申请人: 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇
- 主分类号: H01L21/3065
- IPC分类号: H01L21/3065 ; H01J37/32
摘要:
本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具备处理容器、下部电极、环状构件、内侧上部电极、外侧上部电极、处理气体供给部、第一高频供电部以及第一直流供电部。下部电极载置被处理基板。环状构件载置在下部电极的外周部上。内侧上部电极配置于下部电极的正对面。外侧上部电极以与内侧上部电极电绝缘的方式呈环状地配置于该内侧上部电极的径向外侧。第一高频供电部将用于生成处理气体的等离子体的第一高频施加于下部电极或内侧上部电极和外侧上部电极。第一直流供电部对外侧上部电极施加可变的第一直流电压。外侧上部电极的在处理空间中露出的面的至少一部分处于比内侧上部电极的在处理空间中露出的面靠上方的位置。
公开/授权文献
- CN111261511A 等离子体处理装置和等离子体处理方法 公开/授权日:2020-06-09