Invention Publication
- Patent Title: 用于半导体结构的互连方法与半导体结构
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Application No.: CN201811460125.7Application Date: 2018-11-30
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Publication No.: CN111261603APublication Date: 2020-06-09
- Inventor: 吴秉桓
- Applicant: 长鑫存储技术有限公司
- Applicant Address: 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
- Assignee: 长鑫存储技术有限公司
- Current Assignee: 长鑫存储技术有限公司
- Current Assignee Address: 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
- Agency: 北京律智知识产权代理有限公司
- Agent 袁礼君; 阚梓瑄
- Main IPC: H01L23/48
- IPC: H01L23/48 ; H01L21/768
Abstract:
本公开提供一种用于半导体结构的互连方法与半导体结构。互连方法包括：提供堆叠结构，堆叠结构包括多层键合的晶圆或芯片，每层晶圆或芯片包括衬底和布线层，布线层包括多条金属导线；形成硅通孔于所述堆叠结构，所述硅通孔与部分所述金属导线相连接；填充导电材料于所述硅通孔。本公开的互连方法可以通过一次掩模刻蚀制程制作使堆叠结构中各层晶圆或芯片进行电连接。
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IPC分类:
