本发明涉及一种在三维存储器件的沟道孔中形成外延结构的方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和辅助区；使用针对所述核心区的第一光刻步骤在所述核心区形成沟道孔；在所述沟道孔的底部形成外延结构；以及使用针对所述辅助区的第二光刻步骤在所述辅助区中形成虚拟孔。本发明仅在核心区的沟道孔内形成外延结构，而在辅助区的虚拟孔和/或沟槽中不形成外延结构，能够解决形成外延结构带来的漏电以及可靠性风险，同时简化了工艺难度。