发明授权
- 专利标题: 一种电容耦合等离子体刻蚀设备
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申请号: CN201811544979.3申请日: 2018-12-17
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公开(公告)号: CN111326389B公开(公告)日: 2023-06-16
- 发明人: 黄允文 , 倪图强 , 梁洁 , 赵金龙
- 申请人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 党丽; 王宝筠
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32 ; H01L21/67
摘要:
本发明提供一种电容耦合等离子体刻蚀设备,下电极的导电支撑杆与驱动装置连接,通过驱动装置驱动导电支撑杆沿其轴向运动,同时,下电极通过可伸缩密封部与腔体底部固定,使得下电极的上表面密封至腔体的容置空间中,腔体上连接有电连接部,通过电连接部将腔体内的射频电流返回至射频匹配器的回流端。这样,将下电极通过可伸缩密封部固定于腔体上,当下电极被驱动装置驱动而上下移动时,腔体并不随之移动,腔体中的射频回路处于稳定状态,从而,在实现极板间距的可调的同时,兼顾射频回路的稳定性。
公开/授权文献
- CN111326389A 一种电容耦合等离子体刻蚀设备 公开/授权日:2020-06-23