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公开(公告)号：CN118098916A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211504254.8
申请日：2022-11-28
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/305 , H01L21/3065
摘要： 本发明公开了一种晶圆斜面蚀刻设备和方法，该晶圆斜面蚀刻设备包括：腔体；基座，位于腔体内，盖板，位于基座上方，且与基座相对设置，盖板与基座之间限定一等离子体抑制区，晶圆的中心区域位于盖板与基座之间的等离子体抑制区内，该设备还包括：上电极环，围绕盖板设置；下电极环，围绕基座且与上电极环相对设置，上电极环和下电极环之间可产生等离子体以对晶圆的边缘区域进行刻蚀；第一射频耦合装置和/或第二射频耦合装置，上电极环通过第一射频耦合装置接地；和/或，下电极环通过所述第二射频耦合装置接地。本发明能够对晶圆斜面蚀刻设备反应腔体内等离子密度进行调节，从而便于有效实现晶圆斜面边缘顶部和底部表面膜堆积的去除。
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公开(公告)号：CN112713072B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201911017548.6
申请日：2019-10-24
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种等离子体处理腔室内部部件及其制造方法，该制造方法包括如下步骤：提供含铝基底并在该含铝基底表面沿含铝基底厚度方向依次形成阳极氧化层、热塑性高分子涂层，在涂覆热塑性高分子涂层后对所述部件进行加热处理，使得热塑性高分子涂层填充所述阳极氧化层中的裂纹；完成加热处理后在热塑性高分子涂层上方再涂覆一层第一耐等离子腐蚀涂层，所述第一耐等离子腐蚀涂层包括氧化钇。本发明等离子体处理腔室内部部件的制造过程中所采用的热塑性高分子涂层封孔方法不受零件形状和结构限制，工艺简单，易实施，成本低。采用本发明的等离子体处理腔室内部部件不仅实现了抗等离子体侵蚀，也提高了抗氯气腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN113133175B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201911424310.5
申请日：2019-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本申请实施例公开了一种等离子体电感线圈结构，电感线圈的第一部分产生的磁场强度大于第二部分产生的磁场强度，从而使得电感线圈形成不对称的磁场，而且至少2个电感线圈包括的第一电感线圈的第一部分在预设平面内的投影与第二电感线圈的第二部分在预设平面内的投影在第一方向上至少部分重叠，以补偿第二电感线圈的第二部分产生的磁场强度的大小，同时第一电感线圈的第二部分在预设平面内的投影与第二电感线圈的第一部分在预设平面内的投影在第一方向上至少部分重叠，以补偿第一电感线圈的第二部分产生的磁场强度的大小，又由于在与第一电感线圈电连接的第一电容和与第二电感线圈电连接的第二电容中，至少有一个电容(56)对比文件US 2012298303 A1,2012.11.29US 5880034 A,1999.03.09J. Gruenwald,等.Foundations of alaser-accelerated plasma diagnostics andbeam stabilization with miniaturizedRogowski coils.Nuclear Instruments andMethods in Physics Research Section A:Accelerators, Spectrometers, Detectorsand Associated Equipment .2018,第883卷全文.汪献伟;王兆亮;何庆;李秀莲.CFETR CSMC装配误差下的电磁状态研究.低温物理学报.2019,(第06期),全文.陈国雄;钱高荣;宣冬冬;苏翔;程瑜华.一种可产生均匀磁场的并联发射线圈结构.杭州电子科技大学学报(自然科学版).2018,(第05期),全文.
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公开(公告)号：CN112652511B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201910968745.X
申请日：2019-10-12
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
摘要： 本申请提供一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘环，边缘环位于静电吸盘的外围，静电吸盘用于固定其上的待处理晶圆，边缘环可以包括聚焦环，聚焦环具有内侧部分和外侧部分，内侧部分位于待处理晶圆边缘的下方，外侧部分向外超出待处理晶圆的覆盖范围，外侧部分高于内侧部分，至少在聚焦环的外侧部分形成有保护涂层，保护涂层的介电常数从表面至底部逐渐增大，这样，可以使得等离子体鞘层在晶圆的整个表面保持均匀。同时即使边缘环上的保护涂层被等离子体刻蚀而发生磨损，保护涂层内部的较高介电常数的表面暴露出来，从而使保护涂层具有更好的电荷负载能力，维持等离子体鞘层的稳定，从而维持刻蚀速率的稳定性。
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公开(公告)号：CN111326389B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201811544979.3
申请日：2018-12-17
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明提供一种电容耦合等离子体刻蚀设备，下电极的导电支撑杆与驱动装置连接，通过驱动装置驱动导电支撑杆沿其轴向运动，同时，下电极通过可伸缩密封部与腔体底部固定，使得下电极的上表面密封至腔体的容置空间中，腔体上连接有电连接部，通过电连接部将腔体内的射频电流返回至射频匹配器的回流端。这样，将下电极通过可伸缩密封部固定于腔体上，当下电极被驱动装置驱动而上下移动时，腔体并不随之移动，腔体中的射频回路处于稳定状态，从而，在实现极板间距的可调的同时，兼顾射频回路的稳定性。
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公开(公告)号：CN116092909A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211165260.5
申请日：2017-12-12
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种等离子体刻蚀反应器，反应器包括腔体，腔体围绕而成的空间内设置有待处理基片，基片上方包括反应空间，反应气体和射频功率被输送到反应空间形成等离子体，对基片进行刻蚀，腔体的内壁表面形成有抗等离子体涂层，以防止腔体内刻蚀晶圆用的等离子体对内壁的腐蚀，抗等离子体涂层的表面材料层的粗糙度≤1μm，且抗等离子体涂层的表面材料层的孔隙率低于1％，厚度大于10um，所述抗等离子体涂层的表面材料层由包括氟和钇的化合物组成。本发明具有改善等离子腔体内部表面或腔体内壁表面的结构稳定性，提高等离子体刻蚀过程的性能，且满足先进的等离子体刻蚀工艺的要求，降低生产成本的优点。
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公开(公告)号：CN111383886B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201811611363.3
申请日：2018-12-27
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种防刻蚀气体供应管道腐蚀的系统及等离子反应器运行方法，该运行方法包括以下步骤：当打开刻蚀反应腔体的顶盖时，打开所述可控阀门，向与所述刻蚀反应腔体相连通的气体供应装置内通入惰性气体，以防止空气中的水汽进入刻蚀气体供应管道；在关闭所述刻蚀反应腔体的顶盖进行等离子刻蚀时，关闭所述可控阀门，使得刻蚀气体通入所述气体供应装置。本发明可以有效防止空气中的水汽进入刻蚀气体供应管道，进而从根本上避免了水汽遇到腐蚀性气体后腐蚀刻蚀气体供应管道的问题，从而确保基片不会出线因供应管道腐蚀而导致的金属污染。
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公开(公告)号：CN115637418A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211248078.6
申请日：2022-10-12
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明公开了形成涂层的方法、涂覆装置、零部件及等离子体反应装置。该涂覆装置包含：真空腔体；第一电极，其下方设置金属靶材；第二电极，其上方设置待涂工件，待涂工件与金属靶材相对设置；遮蔽环，位于第一电极与第二电极之间，将真空腔体分隔为分别位于遮蔽环上方、下方的第一区域、第二区域，遮蔽环设有开口，连通第一区域和第二区域；第一气体组件及第二气体组件；第一气体在第一区域形成金属蒸气，再与第二气体反应在待涂工件的表面形成耐腐蚀涂层。本发明提供的零部件，具有类单晶结构的耐腐蚀涂层，抗等离子体物理轰击和耐化学腐蚀明显增强，避免了先进制程中可能的微颗粒污染，符合半导体制程的发展需求。
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公开(公告)号：CN109962000B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201711420583.3
申请日：2017-12-25
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种可减少污染颗粒的等离子体处理装置及其方法，包含腔体和衬套，衬套上方设有介电窗，腔体、衬套和介电窗围绕形成反应腔，反应腔内底部包括用于放置晶圆的基座，基座下方包括用于抽出反应腔内气体维持反应腔内低压的抽真空装置；腔体内设置有遮挡在腔体侧壁上的开口和衬套侧壁上的开口之间的遮挡板，其阻挡由传输腔流向反应腔的气体中的污染颗粒；衬套的下部设有孔槽，遮挡板下方的衬套外壁和腔体内壁围绕形成的流动空间通过孔槽与衬套的内部空间相联通，使得污染颗粒被抽真空装置抽走。本发明不仅保证当前的晶片不被污染，还能改善下一传片的污染，还可通入清洁气体使污染颗粒被带离反应腔的效果更加显著，效率更高。
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公开(公告)号：CN114695046A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011597581.3
申请日：2020-12-29
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种等离子体处理装置及处理方法，包括一反应腔，所述反应腔包括：进气装置，用于向所述反应腔输送清洁气体；射频电源，用于将所述清洁气体解离为清洁等离子体；清洁晶圆，具有第一直径；静电吸盘，用于承载所述清洁晶圆，具有第二直径，所述第一直径与所述第二直径差值小于等于±0.5mm。本发明在清洁步骤中采用与静电吸盘110尺寸相接近的清洁晶圆覆盖静电吸盘表面，能够有效降低清洁等离子体对静电吸盘上表面的损害程度，同时，清洁晶圆不会对聚焦环的第二上表面134和聚焦环与静电吸盘之间的缝隙造成遮挡，使得清洁等离子体能有效清除聚焦环第二上表面和缝隙内的沉积物。
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