发明公开
CN111464158A MOS管脉冲驱动电路
审中-实审
- 专利标题: MOS管脉冲驱动电路
-
申请号: CN202010239754.8申请日: 2020-03-30
-
公开(公告)号: CN111464158A公开(公告)日: 2020-07-28
- 发明人: 林引 , 刘亚辉 , 任高建 , 郭江涛 , 邵严 , 黄友胜 , 张金豪 , 王飞 , 戴剑波 , 赵光绪 , 贺奎 , 田军 , 胡英杰 , 孙中光 , 胡亮 , 周代勇 , 胡宇 , 张加易 , 徐闯 , 郑芳菲 , 刘世森
- 申请人: 中煤科工集团重庆研究院有限公司
- 申请人地址: 重庆市九龙坡区二郎科城路6号
- 专利权人: 中煤科工集团重庆研究院有限公司
- 当前专利权人: 中煤科工集团重庆研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 重庆市九龙坡区二郎科城路6号
- 代理机构: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司
- 代理商 胡博文
- 主分类号: H03K17/04
- IPC分类号: H03K17/04 ; H03K17/687
摘要:
本发明提供的一种MOS管脉冲驱动电路,包括输入电路和驱动及关断电路;所述输入电路,其输入端输入PWM控制信号,其电源端与电源VCC连接,用于向驱动及关断电路输出PWM控制信号,并在PWM控制信号为低电平时向驱动及关断电路提供负压信号;所述驱动及关断电路,其输入端与输入电路的输出端连接,其输出端与被驱动MOS管的栅极连接,用于接收PWM控制信号,在PWM控制信号为高电平时驱动MOS管导通,在PWM控制信号为低电平时控制被驱动MOS管快速关断,通过本发明,能够有效提高MOS管在导通关断的过程中的响应速度,并且提高驱动效率,并且在MOS管多级串联的结构中能够有效保障各被驱动的MOS管的一致性。
公开/授权文献
- CN111464158B MOS管脉冲驱动电路 公开/授权日:2023-07-18