- 专利标题： 一种用于超深宽比刻蚀的等离子反应器及其刻蚀方法
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申请号： CN201910107649.6申请日： 2019-02-02
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公开(公告)号： CN111524780B公开(公告)日： 2024-07-05
- 发明人: 尹志尧 , 张一川 , 梁洁 , 苏兴才 , 倪图强
- 申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 党丽; 王宝筠
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32 ; H01L21/67
摘要：
本发明公开了一种用于超深宽比刻蚀的等离子反应器及其刻蚀方法，包括：反应腔，所述反应腔内形成反应空间；反应空间底部包括一个基座，用于支撑处理基片；反应腔内顶部包括一气体喷淋头；第一射频电源输出具有第一频率的射频功率到基座或气体喷淋头，以形成并维持反应腔内的等离子体；第二射频电源输出具有第二频率的射频功率到基座，以控制入射到基片的离子能量；所述第一频率大于等于4MHz，第二频率大于等于10KHz小于等于300KHz。
公开/授权文献
- CN111524780A 一种用于超深宽比刻蚀的等离子反应器及其刻蚀方法 公开/授权日：2020-08-11