发明授权
CN111635248B 一种AlN-AlON复合材料及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种AlN-AlON复合材料及其制备方法
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申请号: CN202010515688.2申请日: 2020-06-09
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公开(公告)号: CN111635248B公开(公告)日: 2022-10-21
- 发明人: 余超 , 郑永翔 , 邓承继 , 丁军 , 祝洪喜 , 吴欣欣
- 申请人: 武汉科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市青山区和平大道947号
- 专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市青山区和平大道947号
- 代理机构: 武汉科皓知识产权代理事务所
- 代理商 张火春
- 主分类号: C04B38/06
- IPC分类号: C04B38/06 ; C04B35/582 ; C04B35/645 ; C04B35/622
摘要:
本发明涉及一种AlN‑AlON复合材料及其制备方法。其技术方案是:将Al4O4C粉体机压成型,成型后的坯体放入石墨坩埚内,再将所述石墨坩埚置于气压烧结炉中,在≤0.1mbar条件下以5~10℃/min的速率从室温加热至1050~1200℃;保温条件下用10~20min充氮气至1~5MPa,在保压条件下以1~5℃/min的速率再加热至1600~1900℃,保压保温1~5h,自然冷却至室温,制得到AlN‑AlON复合材料。所述Al4O4C粉体的纯度≥98.0wt%;Al4O4C粉体的粒度≤150μm。本发明制备工艺简单,适于工业化生产;本发明以Al4O4C粉体为原料,通过气压烧结法原位合成的AlN‑AlON复合材料物相分布均匀、结合力强、力学性能优异和抗氧化性能好。
公开/授权文献
- CN111635248A 一种AlN-AlON复合材料及其制备方法 公开/授权日:2020-09-08