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公开(公告)号：CN111732438A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010515747.6
申请日：2020-06-09
申请人： 武汉科技大学
IPC分类号： C04B35/582 , C04B35/81 , C04B35/64 , C04B35/66 , B28B3/00
摘要： 本发明涉及一种SiC晶须增强AlN陶瓷结合C复合耐火材料及其制备方法。其技术方案是：将装有Al4SiC4坯体的坩埚置于高温气压炉内，真空条件下加热至1150～1250℃，充氮气至0.1～5MPa，保压条件下升温至1600～1800℃，保温保压10～300min，制得制品。或将装有Al4SiC4坯体的坩埚置于高温气压炉内，在真空条件下加热至1150～1250℃，用5～10min充氮气至0.1～1MPa，保压条件下加热至1500～1600℃，保温保压10～300min；再用5～10min充氮气至1.2～7MPa，保压条件下继续加热至1600～1800℃，保温保压10～60min，制得制品。所述坯体是将Al4SiC4粉体模压成型或将Al4SiC4粉体模压成型后再等静压成型。本发明所制制品抗氧化性能优异、致密度高且力学性能好。
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公开(公告)号：CN107675260B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201710875873.0
申请日：2017-09-25
申请人： 武汉科技大学
摘要： 本发明具体涉及一种AlN‑SiC固溶体晶须及其制备方法。其技术方案是：按Al4SiC4粉料∶纳米镍粉的质量比为1∶（0.005~0.05），将Al4SiC4粉料和纳米镍粉混合，在5~50MPa条件下压制成型；将成型后的坯体装入石墨坩埚内，置于管式刚玉炉中，在氮气气氛和1300~1900℃条件下保温60~600min，以5~10℃/min的速率冷却至800~1000℃，自然冷却，制得AlN‑SiC固溶体晶须。所述AlN‑SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面。所述Al4SiC4粉料的Al4SiC4含量≥98.0wt%，粒度≤150μm。本发明工艺简单、晶须尺寸可控、收得率高和化学成分分布均匀，制备的AlN‑SiC固溶体晶须导热性高、电绝缘性能好和机械性能优越，适合工业化生产及推广应用。
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公开(公告)号：CN111635233A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010515682.5
申请日：2020-06-09
申请人： 武汉科技大学
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/582 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B38/06
摘要： 本发明涉及一种原位生成AlN/SiC结合C复合材料及其制备方法。其技术方案是：将Al4SiC4粉末和粘结剂混合，得混合料I；或将Al4SiC4粉末和含C材料混合后再与粘结剂混合，得混合料II；混合料为混合料I或为混合料II。将混合料经预压成型和等静压成型，于110℃条件下烘干，得到预制坯体；将放有预制坯体的石墨坩埚置于气压烧结炉内，在≤0.1mbar条件下从室温加热至1000～1200℃；保温条件下充N2至1～5MPa，保压条件下再加热至1600～1800℃，保压保温，自然冷却至室温，制得原位生成AlN/SiC结合C复合材料。本发明制备的原位生成AlN/SiC结合C复合材料密度低、质量轻、物相分布均匀、强度高、抗热震性好及抗氧化性能优异。
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公开(公告)号：CN111732438B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202010515747.6
申请日：2020-06-09
申请人： 武汉科技大学
IPC分类号： C04B35/582 , C04B35/81 , C04B35/64 , C04B35/66 , B28B3/00
摘要： 本发明涉及一种SiC晶须增强AlN陶瓷结合C复合耐火材料及其制备方法。其技术方案是：将装有Al4SiC4坯体的坩埚置于高温气压炉内，真空条件下加热至1150～1250℃，充氮气至0.1～5MPa，保压条件下升温至1600～1800℃，保温保压10～300min，制得制品。或将装有Al4SiC4坯体的坩埚置于高温气压炉内，在真空条件下加热至1150～1250℃，用5～10min充氮气至0.1～1MPa，保压条件下加热至1500～1600℃，保温保压10～300min；再用5～10min充氮气至1.2～7MPa，保压条件下继续加热至1600～1800℃，保温保压10～60min，制得制品。所述坯体是将Al4SiC4粉体模压成型或将Al4SiC4粉体模压成型后再等静压成型。本发明所制制品抗氧化性能优异、致密度高且力学性能好。
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公开(公告)号：CN111635248A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010515688.2
申请日：2020-06-09
申请人： 武汉科技大学
IPC分类号： C04B38/06 , C04B35/582 , C04B35/645 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种AlN-AlON复合材料及其制备方法。其技术方案是：将Al4O4C粉体机压成型，成型后的坯体放入石墨坩埚内，再将所述石墨坩埚置于气压烧结炉中，在≤0.1mbar条件下以5～10℃/min的速率从室温加热至1050～1200℃；保温条件下用10～20min充氮气至1～5MPa，在保压条件下以1～5℃/min的速率再加热至1600～1900℃，保压保温1～5h，自然冷却至室温，制得到AlN-AlON复合材料。所述Al4O4C粉体的纯度≥98.0wt％；Al4O4C粉体的粒度≤150μm。本发明制备工艺简单，适于工业化生产；本发明以Al4O4C粉体为原料，通过气压烧结法原位合成的AlN-AlON复合材料物相分布均匀、结合力强、力学性能优异和抗氧化性能好。
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公开(公告)号：CN111635248B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202010515688.2
申请日：2020-06-09
申请人： 武汉科技大学
IPC分类号： C04B38/06 , C04B35/582 , C04B35/645 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种AlN‑AlON复合材料及其制备方法。其技术方案是：将Al4O4C粉体机压成型，成型后的坯体放入石墨坩埚内，再将所述石墨坩埚置于气压烧结炉中，在≤0.1mbar条件下以5～10℃/min的速率从室温加热至1050～1200℃；保温条件下用10～20min充氮气至1～5MPa，在保压条件下以1～5℃/min的速率再加热至1600～1900℃，保压保温1～5h，自然冷却至室温，制得到AlN‑AlON复合材料。所述Al4O4C粉体的纯度≥98.0wt％；Al4O4C粉体的粒度≤150μm。本发明制备工艺简单，适于工业化生产；本发明以Al4O4C粉体为原料，通过气压烧结法原位合成的AlN‑AlON复合材料物相分布均匀、结合力强、力学性能优异和抗氧化性能好。
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公开(公告)号：CN111704465A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010515748.0
申请日：2020-06-09
申请人： 武汉科技大学
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/581 , C04B35/622
摘要： 一种原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷及其制备方法。其技术方案是：将Al4SiC4粉末和粘结剂混合，在5～50MP条件下预压成型，于100～300MPa条件下等静压成型，在110℃烘干，得到预制坯体。将预制坯体装入石墨坩埚内，然后将所述石墨坩埚置于热压炉内，在≤0.1mbar条件下以5～10℃/min的速率从室温加热至1100～1200℃，在保温条件下充N2至2～10MPa，保压条件下以1～5℃/min的速率再加热至1900～2200℃，保压保温2～5h，自然冷却至室温，即得原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷。本发明工艺简单和操作方便，制备的原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷的密度低、质量轻、结构均匀致密、耐高温、抗氧化性能、抗水化性和强度高。
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公开(公告)号：CN107675260A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710875873.0
申请日：2017-09-25
申请人： 武汉科技大学
摘要： 本发明具体涉及一种AlN-SiC固溶体晶须及其制备方法。其技术方案是：按Al4SiC4粉料∶纳米镍粉的质量比为1∶（0.005~0.05），将Al4SiC4粉料和纳米镍粉混合，在5~50MPa条件下压制成型；将成型后的坯体装入石墨坩埚内，置于管式刚玉炉中，在氮气气氛和1300~1900℃条件下保温60~600min，以5~10℃/min的速率冷却至800~1000℃，自然冷却，制得AlN-SiC固溶体晶须。所述AlN-SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面。所述Al4SiC4粉料的Al4SiC4含量≥98.0wt%，粒度≤150μm。本发明工艺简单、晶须尺寸可控、收得率高和化学成分分布均匀，制备的AlN-SiC固溶体晶须导热性高、电绝缘性能好和机械性能优越，适合工业化生产及推广应用。
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