发明授权
- 专利标题： 存储器及其形成方法
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申请号： CN202010072104.9申请日： 2020-01-21
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公开(公告)号： CN111640752B公开(公告)日： 2021-12-17
- 发明人: 赖惠先 , 林昭维 , 朱家仪 , 童宇诚
- 申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
- 申请人地址： 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
- 专利权人： 福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人： 福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
- 代理机构： 上海思捷知识产权代理有限公司
- 代理商 王宏婧
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108
摘要：
本发明提供了一种存储器及其形成方法。通过将每一排填充在最边缘且紧邻的两个节点接触窗中的两个节点接触部相互连接，以构成尺寸较大的组合接触部，从而在制备节点接触部时，即能够有效保证边缘位置的组合接触部的形貌，并且在宽度较大的组合接触部的阻挡保护下，还可以避免其余的节点接触部受到大量侵蚀，提高独立设置的节点接触部的形貌精度，进而有利于提高所形成的存储器的器件性能。
公开/授权文献
- CN111640752A 存储器及其形成方法 公开/授权日：2020-09-08
IPC分类:
