Invention Grant
- Patent Title: 用于真空溅射沉积的设备及其方法
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Application No.: CN202010428072.1Application Date: 2015-08-24
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Publication No.: CN111719116BPublication Date: 2022-10-28
- Inventor: 丹尼尔·塞韦林 , 托马斯·格比利 , 托马斯·莱普尼茨
- Applicant: 应用材料公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 应用材料公司
- Current Assignee: 应用材料公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- Agent 徐金国; 赵静
- Main IPC: C23C14/02
- IPC: C23C14/02 ; C23C14/08 ; C23C14/34 ; C23C14/54 ; H01J37/32 ; H01J37/34

Abstract:
描述一种用于真空溅射沉积的设备(100)。所述设备包括:真空腔室(110);真空腔室(110)内的三个或更多个溅射阴极,用于在基板(200)上溅射材料;气体分配系统(130),用于向真空腔室(110)提供包括H2的处理气体;真空系统(140),用于在真空腔室(110)内提供真空;和安全布置(160),用于降低氧氢爆炸的风险,其中安全布置(160)包含连接至真空系统(140)的稀释气体馈给单元(165),用于稀释处理气体(111)的H2含量。
Public/Granted literature
- CN111719116A 用于真空溅射沉积的设备及其方法 Public/Granted day:2020-09-29
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IPC分类: