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公开(公告)号：CN114892129A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210571610.1
申请日：2015-05-08
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明描述了制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和所述方法的设备。所述方法包括在处理气体氛围中从含氧化铟的靶溅射透明导电氧化物层。处理气体氛围(222)包含水蒸汽、H2，和惰性气体，其中水蒸汽的含量是从1％至10％，其中H2的含量是从2.2％至20.0％，且其中惰性气体的含量是从55.0％至96.3％。设备(200)包括：真空腔室(210)；一或多个含氧化铟的靶(220a、220b)，在真空腔室内部用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统(230)，用于在真空腔室之内提供处理气体；和控制器(240)，连接至气体分配系统并被配置为执行用于进行本方法的程序代码。
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公开(公告)号：CN104508175A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380039747.1
申请日：2013-07-26
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01M10/04 , H01M4/0404 , H01M4/0426 , H01M4/0471 , H01M4/1391 , H01M4/1397 , H01M6/40 , H01M10/052 , C23C14/34 , C23C14/08 , C23C14/5806
Abstract: 一种制造电化学装置的方法可包括：在沉积腔室中利用物理气相沉积(PVD)工艺，在基板之上沉积电极层，其中腔室压力大于约10mTorr，且基板温度为约室温与约450℃之间或更高；和退火处理电极层，使电极层结晶，其中退火温度低于或等于约450℃。另外，腔室压力可高达100mTorr。此外，沉积后退火温度可低于或等于400℃。电化学装置可为具有LiCo02电极的薄膜电池，且PVD工艺可为溅射沉积工艺。
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公开(公告)号：CN111719116B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202010428072.1
申请日：2015-08-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述一种用于真空溅射沉积的设备(100)。所述设备包括：真空腔室(110)；真空腔室(110)内的三个或更多个溅射阴极，用于在基板(200)上溅射材料；气体分配系统(130)，用于向真空腔室(110)提供包括H2的处理气体；真空系统(140)，用于在真空腔室(110)内提供真空；和安全布置(160)，用于降低氧氢爆炸的风险，其中安全布置(160)包含连接至真空系统(140)的稀释气体馈给单元(165)，用于稀释处理气体(111)的H2含量。
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公开(公告)号：CN107532282A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201580078866.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹尼尔·塞韦林 , 安德烈亚斯·克勒佩尔 , 马库斯·哈尼卡 , 蔡皮皮 , 林宛瑜
Abstract: 本公开内容描述了一种制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和其设备。所述方法包括通过使用第一处理参数集合从含氧化铟的靶溅射第一层而将层堆叠沉积(101)至基板上；使用与第一处理参数集合不同的第二处理参数集合从含氧化铟的靶将第二层溅射至第一层上；以及通过蚀刻来图案化(102)层堆叠。所述设备(200)包括真空腔室(210)；一个或多个含氧化铟的靶(220a、220b)，所述一个或多个含氧化铟的靶在真空腔室内用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统(230)，所述气体分配系统用于在真空腔室内提供处理气体；以及控制器(240)，所述控制器被连接至气体分配系统(230)并且被配置为执行用于进行所述方法的程序代码。
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公开(公告)号：CN112585717A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201880096450.1
申请日：2018-08-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 托马斯·沃纳·兹巴于尔 , 托拜西·伯格曼 , 丹尼尔·谢弗-科皮托 , 丹尼尔·塞韦林
Abstract: 描述了一种溅射装置。所述溅射装置包括：阴极布置，所述阴极布置为悬臂式的并且包括靶管，所述阴极布置沿轴向方向延伸并且具有第一侧和第二侧，所述第一侧为被支撑侧，所述第二侧为非被支撑侧；以及暗空间屏蔽件，所述暗空间屏蔽件设置在所述第二侧处并且至少部分地覆盖所述阴极布置，所述暗空间屏蔽件提供重叠区域，在所述重叠区域处所述暗空间屏蔽件与所述靶管沿着所述轴向方向重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107532282B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201580078866.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹尼尔·塞韦林 , 安德烈亚斯·克勒佩尔 , 马库斯·哈尼卡 , 蔡皮皮 , 林宛瑜
Abstract: 本公开内容描述了一种制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和其设备。所述方法包括通过使用第一处理参数集合从含氧化铟的靶溅射第一层而将层堆叠沉积(101)至基板上；使用与第一处理参数集合不同的第二处理参数集合从含氧化铟的靶将第二层溅射至第一层上；以及通过蚀刻来图案化(102)层堆叠。所述设备(200)包括真空腔室(210)；一个或多个含氧化铟的靶(220a、220b)，所述一个或多个含氧化铟的靶在真空腔室内用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统(230)，所述气体分配系统用于在真空腔室内提供处理气体；以及控制器(240)，所述控制器被连接至气体分配系统(230)并且被配置为执行用于进行所述方法的程序代码。
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公开(公告)号：CN111719116A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010428072.1
申请日：2015-08-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述一种用于真空溅射沉积的设备(100)。所述设备包括：真空腔室(110)；真空腔室(110)内的三个或更多个溅射阴极，用于在基板(200)上溅射材料；气体分配系统(130)，用于向真空腔室(110)提供包括H2的处理气体；真空系统(140)，用于在真空腔室(110)内提供真空；和安全布置(160)，用于降低氧氢爆炸的风险，其中安全布置(160)包含连接至真空系统(140)的稀释气体馈给单元(165)，用于稀释处理气体(111)的H2含量。
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公开(公告)号：CN107924802A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201580082619.4
申请日：2015-08-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述一种用于真空溅射沉积的设备(100)。所述设备包括：真空腔室(110)；真空腔室(110)内的三个或更多个溅射阴极，用于在基板(200)上溅射材料；气体分配系统(130)，用于向真空腔室(110)提供包括H2的处理气体；真空系统(140)，用于在真空腔室(110)内提供真空；和安全布置(160)，用于降低氧氢爆炸的风险，其中安全布置(160)包含连接至真空系统(160)的稀释气体馈给单元(165)，用于稀释处理气体(111)的H2含量。
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公开(公告)号：CN112585717B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201880096450.1
申请日：2018-08-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 托马斯·沃纳·兹巴于尔 , 托拜西·伯格曼 , 丹尼尔·谢弗-科皮托 , 丹尼尔·塞韦林
Abstract: 描述了一种溅射装置。所述溅射装置包括：阴极布置，所述阴极布置为悬臂式的并且包括靶管，所述阴极布置沿轴向方向延伸并且具有第一侧和第二侧，所述第一侧为被支撑侧，所述第二侧为非被支撑侧；以及暗空间屏蔽件，所述暗空间屏蔽件设置在所述第二侧处并且至少部分地覆盖所述阴极布置，所述暗空间屏蔽件提供重叠区域，在所述重叠区域处所述暗空间屏蔽件与所述靶管沿着所述轴向方向重叠。
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公开(公告)号：CN113748530A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201980095843.5
申请日：2019-04-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹尼尔·塞韦林 , 安德烈亚斯·克洛佩尔 , 安科·赫尔密西 , 托马斯·沃纳·兹巴于尔
Abstract: 描述在基板上制造有机层堆叠的方法。方法包括在基板上方沉积一个或多个有机层的有机层堆叠；使具有一个或多个有机层的有机层堆叠的基板暴露于在有机层堆叠上方产生保护部件的材料；和在具有保护部件的有机层堆叠上方沉积透明的导电电极。
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