成膜装置的清洗方法

发明公开

CN111719137A 成膜装置的清洗方法审中-公开

摘要：

本发明提供一种成膜装置的清洗方法。该成膜装置的清洗方法能够高效地去除沉积于处理容器的内部的氮化硅膜，并且能够抑制由石英形成的构件的损坏。所述成膜装置的清洗方法包括利用等离子体化后的清洗用气体对沉积氮化硅膜的处理容器的内部进行清洗的工序，所述清洗用气体包含含氟气体和氧气。

公开/授权文献

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

C	化学；冶金
C23	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）
C23C16/00	通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C14/00）
C23C16/44	.以镀覆方法为特征的（C23C16/04优先）