公开(公告)号：CN101497993B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200910126757.4

申请日：2009-02-01

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  小川淳

IPC分类号： C23C16/22 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01L21/00

CPC分类号： C23C16/452 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

摘要： 本发明提供一种薄膜形成方法和用于形成含硅绝缘膜的装置。在可选择性地供给包含二异丙基氨基硅烷气体的第一处理气体和包含氧化气体或氮化气体的第二处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成含硅绝缘膜。为此，重复进行多次交替地包括第一工序和第二工序的循环。第一工序进行第一处理气体的供给，在被处理基板的表面形成含硅吸附层。第二工序进行第二处理气体的供给，氧化或氮化在被处理基板表面上的吸附层。第二工序包括在已利用激励机构将第二处理气体激励的状态下供向处理区域的激励期间。

公开(公告)号：CN100533683C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200710161652.3

申请日：2004-04-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 长谷部一秀 ,  冈田充弘 ,  千叶贵司 ,  小川淳

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： 本发明提供一种将自然氧化膜或化学氧化膜等硅氧化膜，在远高于室温的温度下有效地去除的硅氧化膜的去除方法。本方法用于在可以进行真空排气的处理容器(18)内，去除形成在被处理体(W)表面的硅氧化膜，使用HF气体与NH3气体的混合气体去除所述硅氧化膜。通过如此使用HF气体与NH3气体的混合气体可有效地去除形成在被处理体表面的硅氧化膜。

公开(公告)号：CN101165856A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710194483.3

申请日：2007-10-19

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 长谷部一秀 ,  藤田武彦 ,  中岛滋 ,  小川淳

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/316 ,  C23C8/10 ,  C23C8/16

CPC分类号： H01L21/67109 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

摘要： 一种半导体处理用的氧化装置，包括从位于处理容器的处理区域的一侧上的接近被处理基板的气体供给口向处理区域供给氧化性气体和还原性气体的供给系统。气体供给口包括沿着与处理区域相对应的上下方向的整个长度设置的多个气体喷射孔。在处理容器的周围设置加热处理区域的加热器。控制部预先设定为使氧化性气体和还原性气体发生反应而在处理区域内产生氧活性种和氢氧根活性种，使用氧活性种和氢氧根活性种对被处理基板的表面进行氧化处理。

公开(公告)号：CN101136332A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710147862.7

申请日：2007-08-31

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 藤田武彦 ,  小川淳 ,  中岛滋 ,  长谷部一秀

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C8/06

CPC分类号： C30B33/005 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662

摘要： 本发明涉及一种半导体处理用的氧化方法，其在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板，从处理区域的一侧将氧化性气体和还原性气体供给至处理区域，从另一侧进行排气。在此，将氧化性气体和还原性气体中的一种或两种活化。由此使氧化性气体和还原性气体反应，在处理区域内产生氧活性种和羟基活性种，使用氧活性种和羟基活性种对被处理基板的表面进行氧化处理。

公开(公告)号：CN101131929A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710161652.3

申请日：2004-04-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 长谷部一秀 ,  冈田充弘 ,  千叶贵司 ,  小川淳

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： 本发明提供一种将自然氧化膜或化学氧化膜等硅氧化膜，在远高于室温的温度下有效地去除的硅氧化膜的去除方法。本方法用于在可以进行真空排气的处理容器(18)内，去除形成在被处理体(W)表面的硅氧化膜，使用HF气体与NH3气体的混合气体去除所述硅氧化膜。通过如此使用HF气体与NH3气体的混合气体可有效地去除形成在被处理体表面的硅氧化膜。

公开(公告)号：CN118086867A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202311547604.3

申请日：2023-11-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 小野寺聪 ,  户根川大和 ,  小川淳

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  C23C16/02

摘要： 本公开涉及一种成膜方法和成膜装置，能够形成不易氧化的SiCN膜。基于本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：吸附工序，对基板供给原料气体来使所述原料气体吸附于所述基板，所述原料气体的分子中具有包含硅原子和碳原子的环状结构；热氮化工序，在包含氮化气体的气氛中对所述基板进行热处理，来将吸附于所述基板的所述原料气体热氮化；以及改性工序，将所述基板暴露于氢等离子体中，来将热氮化后的所述原料气体改性。

公开(公告)号：CN112391612A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010788135.4

申请日：2020-08-07

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 羽根秀臣 ,  小山峻史 ,  大槻志门 ,  向山廉 ,  吹上纪明 ,  小川淳

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50

摘要： 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向在表面具备孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板供给等离子体化的氢气的工序；向基板供给由卤化硅构成的处理气体的工序；依次重复进行供给等离子体化的氢气的工序与供给处理气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的硅的薄层的工序；向前述基板供给用于使硅的薄层氮化的第2氮化气体，形成氮化硅的薄层的工序；向基板供给原料气体和第1氮化气体，在氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。

公开(公告)号：CN111719137A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010170282.5

申请日：2020-03-12

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 小川淳 ,  和田博之 ,  栗林昭博 ,  小山峻史

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455

摘要： 本发明提供一种成膜装置的清洗方法。该成膜装置的清洗方法能够高效地去除沉积于处理容器的内部的氮化硅膜，并且能够抑制由石英形成的构件的损坏。所述成膜装置的清洗方法包括利用等离子体化后的清洗用气体对沉积氮化硅膜的处理容器的内部进行清洗的工序，所述清洗用气体包含含氟气体和氧气。

公开(公告)号：CN103882408B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201310712445.8

申请日：2013-12-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 立花光博 ,  池川宽晃 ,  和村有 ,  尾谷宗之 ,  小川淳 ,  高桥宏辅

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： 本发明提供一种成膜方法。该成膜方法利用成膜装置在上述多个基板上形成含有第1元素及第2元素的掺杂氧化膜，该成膜方法包括以下工序：成膜工序，从上述第1气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体，从上述第2气体供给部供给氧化气体，在上述基板上形成含有上述第1元素的氧化膜；以及掺杂工序，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的一者供给含有上述第2元素的第2反应气体，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的另一者供给非活性气体，在上述氧化膜上掺杂上述第2元素。

公开(公告)号：CN103882411B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310713574.9

申请日：2013-12-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 小川淳

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4551 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02337

摘要： 本发明提供成膜方法。该成膜方法所使用的成膜装置包括：旋转台；第1处理区域；第2处理区域；以及分离区域。该成膜方法包括以下工序：第1工序：在自第1气体供给部和分离气体供给部供给分离气体、自第2气体供给部供给氧化气体的状态下，使旋转台旋转至少一周；第2工序：在自第1气体供给部供给含有规定的元素的反应气体、自第2气体供给部供给氧化气体、自分离气体供给部供给分离气体的状态下，使旋转台旋转规定周数，从而在基板上形成含有规定的元素的氧化膜；第3工序：在自第1气体供给部和分离气体供给部供给分离气体、自第2气体供给部供给氧化气体的状态下，使旋转台旋转至少一周。