公开(公告)号：CN111719137B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202010170282.5

申请日：2020-03-12

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 小川淳 ,  和田博之 ,  栗林昭博 ,  小山峻史

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455

摘要： 本发明提供一种成膜装置的清洗方法。该成膜装置的清洗方法能够高效地去除沉积于处理容器的内部的氮化硅膜，并且能够抑制由石英形成的构件的损坏。所述成膜装置的清洗方法包括利用等离子体化后的清洗用气体对沉积氮化硅膜的处理容器的内部进行清洗的工序，所述清洗用气体包含含氟气体和氧气。

公开(公告)号：CN111719137A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010170282.5

申请日：2020-03-12

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 小川淳 ,  和田博之 ,  栗林昭博 ,  小山峻史

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455

摘要： 本发明提供一种成膜装置的清洗方法。该成膜装置的清洗方法能够高效地去除沉积于处理容器的内部的氮化硅膜，并且能够抑制由石英形成的构件的损坏。所述成膜装置的清洗方法包括利用等离子体化后的清洗用气体对沉积氮化硅膜的处理容器的内部进行清洗的工序，所述清洗用气体包含含氟气体和氧气。