发明公开
CN111740007A 半导体器件及其形成方法
审中-实审
- 专利标题： 半导体器件及其形成方法
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申请号： CN202010246888.2申请日： 2020-03-31
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公开(公告)号： CN111740007A公开(公告)日： 2020-10-02
- 发明人: 王勇涛 , 王冲 , 蔡敏豪 , 项少华
- 申请人： 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
- 申请人地址： 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
- 专利权人： 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
- 当前专利权人： 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 曹廷廷
- 主分类号： H01L41/29
- IPC分类号： H01L41/29 ; H01L41/23 ; H01L41/053 ; H01L41/047 ; G03F7/42
摘要：
本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。在形成钝化层之前，在上电极层的第一端部上形成牺牲部，以用于支撑钝化层的端部，使得钝化层不存在悬空遮盖的部分，从而在形成接触垫时，即不会出现钝化层的悬空部被破坏的问题。以及，在形成接触垫之后，通过去除牺牲部，即可释放出钝化层其端部下方的空间，进而形成钝化层的悬空部，以保障所形成的半导体器件的性能。
公开/授权文献
- CN111740007B 半导体器件及其形成方法 公开/授权日：2022-09-09