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公开(公告)号：CN113114157A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110412584.3
申请日：2021-04-16
申请人： 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
摘要： 本发明提供了一种体声波滤波器及其形成方法。通过形成支撑结构，以界定出空腔在衬底的上方，并用于对下电极及其上方的膜层进行支撑，提高下电极及其上方的膜层在空腔上方的机械强度，有利于增大释放孔的尺寸以加快空腔空间的释放速度。并且，针对衬底上方的空腔而言，其制备方法可以不包括化学机械研磨工艺，规避了化学机械研磨工艺所带来的精度难以管控的问题。
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公开(公告)号：CN112713237B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110329856.3
申请日：2021-03-29
申请人： 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
IPC分类号： H01L41/33 , H01L41/331 , H01L41/083
摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。通过在压电层的表面上形成第一金属材料层，以使得质量负载层能够利用剥离工艺先于上电极层制备，从而在制备质量负载层的过程中即可以对质量负载层进行稳定的厚度检测，避免受到上电极层的干扰。并且，基于第一金属材料层的存在，也进一步实现了金属环也能够先于上电极层制备，大大提高了器件的制备工艺的灵活性。
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公开(公告)号：CN112039488A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010922826.9
申请日：2020-09-04
申请人： 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
摘要： 本发明提供了一种谐振器及其形成方法、滤波器及其形成方法。通过对下电极层进行厚度测量，以获得下电极层的厚度偏差分布，以及基于相同的频率变化量下，将下电极层的厚度偏差分布转换为压电层的厚度补偿分布，并基于厚度补偿分布对压电层的厚度进行补偿，以补偿由下电极层所产生的频率偏差，如此，即可提高所形成的谐振器在各个位置上的频率高度统一。
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公开(公告)号：CN111740007A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010246888.2
申请日：2020-03-31
申请人： 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
IPC分类号： H01L41/29 , H01L41/23 , H01L41/053 , H01L41/047 , G03F7/42
摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。在形成钝化层之前，在上电极层的第一端部上形成牺牲部，以用于支撑钝化层的端部，使得钝化层不存在悬空遮盖的部分，从而在形成接触垫时，即不会出现钝化层的悬空部被破坏的问题。以及，在形成接触垫之后，通过去除牺牲部，即可释放出钝化层其端部下方的空间，进而形成钝化层的悬空部，以保障所形成的半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN111740007B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202010246888.2
申请日：2020-03-31
申请人： 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
IPC分类号： H01L41/29 , H01L41/23 , H01L41/053 , H01L41/047 , G03F7/42
摘要： 本发明提供了一种压电器件及其形成方法。在形成钝化层之前，在上电极层的第一端部上形成牺牲部，以用于支撑钝化层的端部，使得钝化层不存在悬空遮盖的部分，从而在形成接触垫时，即不会出现钝化层的悬空部被破坏的问题。以及，在形成接触垫之后，通过去除牺牲部，即可释放出钝化层其端部下方的空间，进而形成钝化层的悬空部，以保障所形成的压电器件的性能。
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公开(公告)号：CN112713237A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202110329856.3
申请日：2021-03-29
申请人： 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
IPC分类号： H01L41/33 , H01L41/331 , H01L41/083
摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。通过在压电层的表面上形成第一金属材料层，以使得质量负载层能够利用剥离工艺先于上电极层制备，从而在制备质量负载层的过程中即可以对质量负载层进行稳定的厚度检测，避免受到上电极层的干扰。并且，基于第一金属材料层的存在，也进一步实现了金属环也能够先于上电极层制备，大大提高了器件的制备工艺的灵活性。
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