- 专利标题: 一种HfO2/HfB2复合高红外发射率陶瓷涂层及其制备方法
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申请号: CN202010529498.6申请日: 2020-06-11
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公开(公告)号: CN111748760A公开(公告)日: 2020-10-09
- 发明人: 曾鲜 , 佟旭 , 张毅 , 王浩宇 , 杨化雨
- 申请人: 武汉理工大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 代理机构: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 崔友明; 李艳景
- 主分类号: C23C4/134
- IPC分类号: C23C4/134 ; C23C4/10
摘要:
本发明公开了一种HfO2/HfB2复合高红外发射率陶瓷涂层及其制备方法。以HfO2和B4C为原料,加去离子水与粘结剂研磨混合,然后喷雾造粒、筛分得HfO2/B4C复合团聚粉末;利用大气等离子喷涂工艺,将复合团聚粉末直接喷涂到待喷涂件表面,大气等离子喷涂工艺中,离子气的辅助气体含有H2,喷涂过程中,原料与H2反应生成HfB2、CO2和水蒸气,气体溢出,即得HfO2/HfB2复合高红外发射率陶瓷涂层。该陶瓷涂层制备工艺简单,可在喷涂过程中直接得到,无需另外添加还原剂,无需高温焙烧过程,合成时间短,能耗低,所得陶瓷涂层纯度高,红外发射率高,满足~2000℃超高温真空环境下应用。
公开/授权文献
- CN111748760B 一种HfO2/HfB2复合高红外发射率陶瓷涂层及其制备方法 公开/授权日:2022-07-08
IPC分类: