Invention Publication
CN111755038A 半导体存储装置
无效 - 撤回
- Patent Title: 半导体存储装置
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Application No.: CN202010201186.2Application Date: 2020-03-20
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Publication No.: CN111755038APublication Date: 2020-10-09
- Inventor: 山田和志
- Applicant: 拉碧斯半导体株式会社
- Applicant Address: 日本神奈川县横滨市
- Assignee: 拉碧斯半导体株式会社
- Current Assignee: 拉碧斯半导体株式会社
- Current Assignee Address: 日本神奈川县横滨市
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 刘书航; 闫小龙
- Priority: 2019-067433 2019.03.29 JP
- Main IPC: G11C7/06
- IPC: G11C7/06 ; G11C7/08 ; G11C7/12 ; G11C7/18 ; G11C8/08 ; G11C8/14

Abstract:
公开了一种半导体存储装置。即使在是非回环模式且同时访问单位的末尾附近成为开始地址的情况下也使得能够实现高速的突发访问。在突发模式时,进行以下控制:在对内部地址的区域分配的地址中的、用于选择多个感测放大器区块中的任一个感测放大器区块的地址即区块地址的值为最大值的情况下,使第一感测放大器区块和第二感测放大器区块访问不同的存储体,在区块地址的值不为最大值的情况下,使所述第一感测放大器区块和所述第二感测放大器区块访问多个存储体中的同一存储体。
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