本发明公开了一种三维NAND型铁电场效应晶体管存储器，包括：依次层叠设置的基底层、公共源极层、多个选择晶体管、叠构层，及贯穿叠构层的多个通道；所述多个选择晶体管中的每一个选择晶体管由选择栅电极层的一部分以及栅介质层和第一沟道层组成；所述叠构层包括多层相互交叠排布的隔离层和栅电极层；多个通道设置在所述多个选择晶体管的正上方，每个所述通道的内壁上依次设置有缓冲层、铁电薄膜层、第二沟道层和填充层，第二沟道层的底部与第一沟道层的顶端紧密相连，所述栅电极层与缓冲层、铁电薄膜层和第二沟道层形成多个铁电场效应晶体管串联的存储单元串。该存储器可以提升器件的疲劳性能并改善器件之间的差异性。