-
公开(公告)号:CN117012813A
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202311150541.8
申请日:2023-09-07
申请人: 湘潭大学
IPC分类号: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要: 本发明属于微电子器件技术领域,公开了一种双栅极场效应晶体管及其制备方法。本发明的场效应晶体管包括:衬底自下而上依次设置基底层和第一氧化物层;底部栅极自下而上依次设置第一金属层、第一氧化铪基负电容层及第二氧化物层;半导体层包含源极、沟道、漏极;顶部栅极自下而上依次设置第三氧化物层、第二氧化铪基负电容层及第二金属层。本发明利用两个栅极负电容层的共同作用,实现更强的栅控能力,大幅稳定场效应晶体管的负电容效应,获得更稳定的超低亚阈值摆幅,大幅降低器件工作电压,有望满足先进微电子器件的发展需求。
-
公开(公告)号:CN114974893A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210374728.5
申请日:2022-04-11
申请人: 湘潭大学
摘要: 本发明属于铁电材料技术领域,公开了一种成分梯度分布的氧化铪基铁电薄膜和铁电电容器及制备方法。氧化铪基铁电薄膜的材料为Hf1‑xmxO2;其中,0<x<1,且x沿氧化铪基铁电薄膜的底部到顶部方向顺次增大或顺次减小,m为掺杂元素。本发明的铁电电容器在衬底表面依次设置底电极层、铁电层和顶电极层;其中铁电层为上述成分梯度分布的氧化铪基铁电薄膜。本发明的铁电薄膜有效的提高了介电效应,在保持相同的剩余极化值的同时,有效地减小了介电损耗,减小了漏电流;还解决了目前铁电薄膜中存在的剩余极化值和抗疲劳性存在矛盾的问题,在保持优异的剩余极化值的同时还能够保证抗疲劳性,大大提高了铁电薄膜的性能。
-
公开(公告)号:CN108538920B
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN201810237396.X
申请日:2018-03-21
申请人: 湘潭大学
IPC分类号: H01L29/786 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/51
摘要: 本发明公开了一种柔性铁电薄膜晶体管,包括衬底;在所述衬底上形成的缓冲层;在所述缓冲层上形成的底栅电极;在所述底栅电极上形成的铁电薄膜层;在所述铁电薄膜层上形成的金属层;在所述金属层上形成的高介电材料缓冲层;在所述高介电材料缓冲层上形成的沟道层;在所述高介电材料缓冲层上形成的源电极且同所述源电极分离形成的漏电极;所述源电极和所述漏电极分别覆盖于所述沟道层两端的端部。本发明实施例提供的柔性铁电薄膜晶体管存储密度高、微型化能力强、应用领域广泛。本发明还提供了一种柔性铁电薄膜晶体管的制备方法。
-
公开(公告)号:CN111799264B
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202010622397.3
申请日:2020-06-30
申请人: 湘潭大学
IPC分类号: H01L27/11507 , H01L27/11509 , H01L27/11514 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/34
摘要: 一种三维沟槽型铁电存储器及其制备方法,包括基底(1)和设置在基底(1)上的导电层(2);导电层(2)上设置的层叠结构包括多层水平且交叠排布的隔离层(3)和控制栅电极(4);多个沟槽型存储单元串(5)竖直贯穿层叠结构,其包括:竖直贯穿层叠结构且槽底嵌入导电层(2)中的沟槽孔(11);沟槽孔(11)的侧壁和槽底依次铺设有缓冲层(6)、铁电薄膜层(7)、沟道层(8)和填充层(9);控制栅电极(4)、缓冲层(6)、铁电薄膜层(7)、沟道层(8)组成多个相互串联的铁电场效应晶体管。本发明的铁电存储器能获得更为紧凑的布线,有利于实现更高密度集成;制备时依次沉积所需材料即可,无需刻蚀,保证铁电存储器的可靠性。
-
公开(公告)号:CN114284361A
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN202111634378.3
申请日:2021-12-29
申请人: 湘潭大学
IPC分类号: H01L29/78 , H01L49/02 , H01L29/51 , H01L27/1159 , H01L21/336
摘要: 本发明实施例公开了一种半导体存储器、铁电场效应晶体管和铁电薄膜电容器。其中,该铁电场效应晶体管包括:衬底、形成于所述衬底中的源极和漏极、位于所述衬底上且投影介于所述源极和漏极之间的绝缘层、以及在所述绝缘层上依次设置的第一铁电层、夹层、第二铁电层和栅极层,其中,所述夹层的导带底高于或等于所述第一和第二铁电层的导带底且两者之间的差值小于或等于0.3eV,所述夹层的价带顶低于或等于所述第一和第二铁电层的价带顶且两者之间的差值小于或等于0.3eV。本实施例,通过能带工程抑制电荷俘获,因此能够提高铁电层的抗疲劳特性,从而提高相应元件的性能。
-
公开(公告)号:CN113871395A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202110737900.4
申请日:2021-06-30
申请人: 湘潭大学
IPC分类号: H01L27/1159 , H01L27/11597 , H01L29/78
摘要: 一种三维铁电场效应晶体管存储单元、存储器及制备方法,该存储单元包括:栅电极层(4);所述栅电极层(4)的厚度方向上设置有贯穿的第一通孔(14);从所述第一通孔(14)的内壁向靠近轴线的方向上,依次覆盖有第一介质层(9)、铁电薄膜层(10)、第二介质层(11)和沟道层(12);所述第一介质层(9)和第二介质层(11)均为绝缘材质,用于避免所述铁电薄膜层(10)与所述栅电极层(4)和沟道层(12)接触。该存储单元中,铁电薄膜层(10)不与栅电极(4)和沟道层(12)接触,避免了界面反应和元素扩散,从而保证了铁电薄膜层(10)和存储单元的质量和性能,减小了存储器中各存储单元之间的差异性,提高存储器的可靠性。
-
公开(公告)号:CN113740370A
公开(公告)日:2021-12-03
申请号:CN202110966505.3
申请日:2021-08-23
申请人: 湘潭大学
摘要: 本发明公开了一种工作叶片的热斑模拟装置和方法,模拟装置包括:导向叶片涡轮盘;导向叶片,设置于导向叶片涡轮盘的边缘;工作叶片,设置于导向叶片一侧;高温通道,设置于导向叶片远离工作叶片的一侧,一端对准导向叶片,用于传输高温气流;低温通道,设置于导向叶片远离工作叶片的一侧,一端对准导向叶片,用于传输低温气流;旋转组件,与导向叶片涡轮盘的中心连接,用于旋转导向叶片涡轮盘;离心力加载装置,用于对工作叶片加载离心力。本方案可准确模拟工作叶片的服役环境,并通过调整高温气流和低温气流流量和温度来准确调整工作叶片的热斑温度比和热斑压力比,以为涡轮流道中热斑迁移及在工作叶片上的聚集规律提供重要的实验依据。
-
公开(公告)号:CN111798917B
公开(公告)日:2021-07-30
申请号:CN202010619291.8
申请日:2020-06-30
申请人: 湘潭大学
IPC分类号: G11C29/56
摘要: 本申请公开了一种存储器单粒子效应的动态测试结果的数据处理方法,包括:获取所述存储器单粒子效应的动态测试结果;将所述动态测试结果中的错误数据按所述存储器的读周期逐行保存为二维数组,一个读周期对应于所述二维数组中的一行;对所述二维数组中的元素从最后一行开始按行遍历排查,删除每一行中相对上一行中重复出现的元素,得到第一数组。通常本申请所述的数据处理方法,可以对存储器单粒子效应动态测试结果中大量重复出现的错误数据进行删减,从而有效缩减测试结果的数据量,以方便对结果数据的后续处理和传输。
-
公开(公告)号:CN111799265B
公开(公告)日:2021-06-04
申请号:CN202010622412.4
申请日:2020-06-30
申请人: 湘潭大学
IPC分类号: H01L27/11507 , H01L27/11514 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要: 本发明公开了一种三维NAND型铁电场效应晶体管存储器,包括:依次层叠设置的基底层、公共源极层、多个选择晶体管、叠构层,及贯穿叠构层的多个通道;所述多个选择晶体管中的每一个选择晶体管由选择栅电极层的一部分以及栅介质层和第一沟道层组成;所述叠构层包括多层相互交叠排布的隔离层和栅电极层;多个通道设置在所述多个选择晶体管的正上方,每个所述通道的内壁上依次设置有缓冲层、铁电薄膜层、第二沟道层和填充层,第二沟道层的底部与第一沟道层的顶端紧密相连,所述栅电极层与缓冲层、铁电薄膜层和第二沟道层形成多个铁电场效应晶体管串联的存储单元串。该存储器可以提升器件的疲劳性能并改善器件之间的差异性。
-
公开(公告)号:CN112730021A
公开(公告)日:2021-04-30
申请号:CN202011378613.0
申请日:2020-11-30
申请人: 湘潭大学
摘要: 一种振动热冲击耦合的服役工况加载系统,包括:夹具(1),设置有卡槽,用于固定涡轮叶片(100);所述卡槽设置有多个,以使所述涡轮叶片(100)与所述夹具(1)呈预设角度设置;振动加载装置,与所述夹具(1)固定连接,用于带动所述夹具(1)上的所述涡轮叶片(100)振动;喷枪,用于喷射高温气体,以对所述涡轮叶片(100)加载热冲击工况;喷枪移动装置(3),用于移动所述喷枪,以使所述喷枪喷射高温气体的方向,与所述涡轮叶片(100)的叶身垂直。本发明的服役工况加载系统能够准确模拟涡轮叶片在不同服役环境下的失效机理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-