本发明公开了一种降低位错的全熔高效铸造多晶生产工艺，（1）装料时，在坩埚底部撒碎多晶，碎多晶上铺装硅料原生多晶及单多晶回收料；（2）采用铸造多晶炉，隔热笼关闭高温熔化完成，以TC2温度快速上升为标志；（3）熔化完成后，5-15分钟内快速提升隔热笼至12-16cm；（4）熔化完成后，30-90分钟内缓慢降低隔热笼至6-12cm；（5）以一定时间步长分阶段缓慢提升隔热笼高度，在晶锭生长中后期，逐渐升温，完成晶体生长过程；（6）经过退火、冷却两个阶段，将晶锭取出再后续加工；本发明多晶晶锭下截断位置晶粒变小，增加晶界密度，良好的吸收位错增值，长晶中后期增加长晶温度，减缓长晶速率，降低晶体中因结晶潜热过多导致的位错增值，提高多晶硅片转换效率。