-
公开(公告)号：CN111663177A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010482544.1
申请日：2020-05-29
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏高照新能源发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种掺镓单晶硅的镓金属加入方法及镓金属放置结构体，结构体包括盖体部分和主体部分，盖体部分上开设有通孔，镓金属置于结构体中；在初投料时，结构体直接放置坩埚目标位，在结构体周围填充硅料，在复投料时，通过塑料管将新的结构体投放至坩埚内复投加料筒中，并在结构体周围填充硅料。本发明可减少员工操作量，提高了镓金属加入的准确性及方便性，同时也避免金属镓高温熔化后与石英反应或在复投加料筒中变为液体后掉落的风险。
-
公开(公告)号：CN111424314A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010363285.0
申请日：2020-04-30
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏高照新能源发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种镓掺杂单晶硅用的镓硅合金制作炉，包括制作炉炉体、合金炉、冷凝机及合金接受槽，合金炉包括炉体及石英坩埚、加热器、埚邦及埚托，石英坩埚外设有埚邦，石英坩埚的底端通过中空石墨托杆连接有坩埚升降、转动装置，炉体的底部还设有中空石英锥，炉体的上端设有合金炉惰性气体入口，炉体的下端设有合金炉排气孔；制作炉炉体上表面设有惰性气体入口，制作炉炉体的下表面设有制作炉排气孔；该制作炉结构简单，使用方便，制作镓硅合金的方法简单易行，该镓硅合金的制作有效提高了掺杂加入的可操作性及掺杂及的稳定性，提高了生产效率及掺杂准确性，有效减少了镓金属被污染或掉落流失而引起的质量风险。
-
公开(公告)号：CN111424313A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010326316.5
申请日：2020-04-23
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏高照新能源发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种RCZ法拉制掺镓单晶硅的方法，包括以下步骤：步骤1，拆炉、清理炉膛；步骤2，装炉；步骤3，对单晶炉内进行抽真空和捡漏；步骤4，压力化与熔料；步骤5，稳温；步骤6，引晶；步骤7，放肩；步骤8，转肩；步骤9，等径生长；步骤10，收尾与冷却；步骤11，停炉，取出单晶硅棒，复投或拆炉；本发明的RCZ法拉制掺镓单晶硅的方法在现有的设备、工艺上进行改进后，所得拉制出的掺镓单晶硅棒轴、径向电阻均匀性明显提高，晶棒的有效拉制长度由60-65%增加到了70-75%，减少了循环料及最后一炉炉内剩料量；晶棒头部含氧率降低了1.0 PPM，断线率降低了10%。
-
公开(公告)号：CN111037766A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911315483.3
申请日：2019-12-19
申请人： 江苏高照新能源发展有限公司 , 包头美科硅能源有限公司
IPC分类号： B28D5/04
摘要： 本发明公开了一种用于光伏电池的低成本单晶硅片的制作方法，涉及单晶硅片制造技术领域，本发明生产的硅片都是从原本废弃的单晶边皮中切割而来，可认为是零晶体生产成本，产出的硅片成本每片降低0.7元，售价可降低20%以上，是实实在在的低成本硅片。
-
公开(公告)号：CN110923810A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911266168.6
申请日：2019-12-11
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏高照新能源发展有限公司
摘要： 本发明公开了大尺寸单晶硅等径生长过程中调控液面位置的装置及工艺，结构包括外壳和内壳，内壳内设有保温材料和坩埚，坩埚底部设有升降杆，外壳内的上部设有提升机构和与之相连的导流筒，坩埚的侧部和底部均设有加热器；工艺包括稳定温度、引晶、放肩和转肩、等径，在单晶硅等径生长过程中，熔体硅的液面和导流筒可上、下浮动，以调整晶体生长界面的温度梯度。本发明大大增加了等径生长阶段的工艺调控窗口，使单晶硅等径生长阶段断棱率大大降低，提升了单晶棒的良率，同时，配以本发明可以缩短加热器的高度，降低单晶棒中氧含量。
-
公开(公告)号：CN111850680A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010435870.7
申请日：2020-05-21
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏高照新能源发展有限公司
IPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06 , B01F9/10 , B01F13/06 , B01F13/10 , B01F15/00 , B01F15/06 , B01J19/00
摘要： 本发明公开一种制备镓-硅掺杂剂的反应器及其使用方法。利用该反应器在低温环境中称取金属镓和硅粉，清洗反应器内各部件；向混合筒内放入金属镓和硅粉，并用透气保温棉将进料口密封；依次盖上保温层和水冷保护套的顶盖，启动水冷保护套正常工作，开始抽真空捡漏，验证反应器密封正常后，向反应器内冲入惰性气体，再抽真空，重复充气和抽真空操作1-2次；启动动力电机和加热器，当混合筒内的温度达到200-800℃温度后，保温混合1-10小时，混合结束后，降温至室温，得半成品；将半成品转至球磨机中磨碎，即得掺杂剂。本发明反应器结构简单，易于控制制备镓-硅掺杂剂的反应环境，所得掺杂剂稳定性好，且镓的利用率高。
-
公开(公告)号：CN111368434A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010146317.1
申请日：2020-03-05
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏高照新能源发展有限公司
IPC分类号： G06F30/20 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06N20/00 , C30B15/20 , C30B29/06 , G06F111/10 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了一种基于ANN的提拉法单晶硅固液界面的预测方法。该方法首先采用有限体积法建立提拉法单晶硅生长炉的二维全局传热数值模型；开展各工艺参数下的数值模拟，收集单晶硅生长的模拟数据并整理成数据集。再将数据集划分为训练集和测试集两部分，进行归一化处理，确定机器学习算法，建立提拉法单晶硅质量的预测模型，并评估该模型的可靠性。然后，利用预测模型计算单晶硅生长质量，并在测试集上评价预测结果。最后，预测出最优生长条件。本发明可快速找出影响提拉法单晶硅质量的关键因素，并准确预测关键因素下的晶体质量，从而获得合适的生长条件，提高研发效率，节省经费，生长出大尺寸、高品质的单晶硅。
-
公开(公告)号：CN111809233A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010405571.9
申请日：2020-05-14
申请人： 江苏高照新能源发展有限公司 , 包头美科硅能源有限公司
摘要： 本发明公开了一种降低位错的全熔高效铸造多晶生产工艺，（1）装料时，在坩埚底部撒碎多晶，碎多晶上铺装硅料原生多晶及单多晶回收料；（2）采用铸造多晶炉，隔热笼关闭高温熔化完成，以TC2温度快速上升为标志；（3）熔化完成后，5-15分钟内快速提升隔热笼至12-16cm；（4）熔化完成后，30-90分钟内缓慢降低隔热笼至6-12cm；（5）以一定时间步长分阶段缓慢提升隔热笼高度，在晶锭生长中后期，逐渐升温，完成晶体生长过程；（6）经过退火、冷却两个阶段，将晶锭取出再后续加工；本发明多晶晶锭下截断位置晶粒变小，增加晶界密度，良好的吸收位错增值，长晶中后期增加长晶温度，减缓长晶速率，降低晶体中因结晶潜热过多导致的位错增值，提高多晶硅片转换效率。
-
公开(公告)号：CN111477560A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010405563.4
申请日：2020-05-14
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏高照新能源发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池用镓、硼掺杂单晶硅棒区分的快速检测方法，包括以下步骤：采用检测仪器在单晶硅棒上选取两个不同位置的电阻率进行检测，通过将这两个检测点电阻率差值与检测点之间的距离度的比值进行硅棒类型确认；本发明该检测方法能快速区分晶棒，节约时间，有效避免生产、检测、周转过程中操作失误而引起的硼掺杂晶棒与稼掺杂晶棒混淆的问题。
-
公开(公告)号：CN110978303A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911322740.6
申请日：2019-12-20
申请人： 江苏高照新能源发展有限公司 , 包头美科硅能源有限公司
摘要： 本发明公开了一种提高单晶硅棒利用率的切割方法，在原有切割210mm的开方线网之外，再添加一套向外扩展20mm的切割线网；切割后，将产生210mm边长的方棒和4块厚度为20mm带有圆弧边的单晶板坯，以及4块厚度约25mm的圆拱形单晶边皮；将多个单晶板坯使用水溶胶粘合后，使用金刚线截断机进行裁边，修正为厚度20mm、边长158mm、长度等于圆棒的长方形单晶板坯。本发明切割方法，可以提高单晶圆棒切割后可利用部分晶体的体积占比，提高单晶硅棒有效利用率，大大节约了生产成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
334 条记录 (耗时 0.066 秒)
