一种单晶断线焊接处理方法

    公开(公告)号:CN115122518B

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202210840586.7

    申请日:2022-07-18

    IPC分类号: B28D5/04 B28D7/00

    摘要: 本发明公开了一种单晶断线焊接处理方法,包括收线端设为1M位置,放线端设为2M位置,中间端设为2F位置,中间端所在位置为切割线网,且其上设有待切割的晶棒,若断线位置偏向1M位置,则焊接方向为2M→1M,若断线位置偏向2M位置时,则焊接方向为1M→2M,若断线位置在2F位置时,根据停机时进回线循环,此时如果停机时收线轮收线结束,则焊接方向为1M→2M,如果停机时放线轮收线结束,则焊接方向为2M→1M,并根据断线切割深度确定焊接置换长度。本发明的优点是降低断线后晶棒报废率,提供单刀切片A良率。

    一种提高大尺寸N型硅片转换效率的方法

    公开(公告)号:CN114016122B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202111270049.5

    申请日:2021-10-29

    IPC分类号: C30B15/00 C30B15/20 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种提高大尺寸N型硅片转换效率的方法,具体为:将N型母合金及硅料装入石英坩埚内,全熔稳定,熔化,待硅料完全熔化后将功率降至引晶功率;单晶炉运行过程中采用高炉压;将坩埚转速开至引晶转速,晶体转速11‑14转/分钟;稳定熔体,引晶,高温熔接,采用Dash缩颈排除位错法引晶、放肩、转肩、等径,手动控制晶体等径生长至所需长度,待直径控制均匀、拉速稳定后自动控制晶体生长、收尾以及停炉;通过改变晶体转速,增加磷元素在硅中的溶解均匀性,改变炉压,防止局部温高导致磷元素挥发,硅液中溶解磷均匀性差,同时降低等径时拉速,使生长界面变得相对平坦,降低了大尺寸直拉单晶N型硅片由中心和边缘位置电阻率不均匀而导致转换效率低的问题。

    一种N型直拉单晶硅的制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117737831A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311623512.9

    申请日:2023-11-30

    IPC分类号: C30B15/20 C30B29/06 C30B27/02

    摘要: 本发明涉及光伏电池技术领域,具体涉及一种N型直拉单晶硅的制备方法,包括:步骤S1:将多晶硅料和N型掺杂剂置于石英坩埚中,并将石英坩埚置于单晶炉内;步骤S2:对单晶炉进行抽真空操作后注入保护气体,控制单晶炉内压力为3‑15torr;步骤S3:通过单晶炉对所述坩埚加热,使多晶硅料和N型掺杂剂熔化,并保持温度不降低,得到熔硅液体;步骤S4:在熔硅液体中引入籽晶,依次进行引颈、缩颈和放肩操作,使之进入等径生长阶段;步骤S5:等径生长完成后,进入收尾阶段,使晶体的直径逐渐减小,直至形成一个尖点而与熔硅分离,以获得N型直拉单晶硅。本发明通过在硅料熔化和晶体等径生长阶段调控炉内压力以降低单晶硅氧含量,简单便捷且成本低。

    一种用于改善单晶硅生产过程中坩埚鼓包的方法

    公开(公告)号:CN117418304A

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202311505242.1

    申请日:2023-11-13

    IPC分类号: C30B15/20 C30B29/06 C30B15/14

    摘要: 本发明公开了一种用于改善单晶硅生产过程中坩埚鼓包的方法,涉及单晶拉制领域,单晶拉制过程分为循环段和完结段,包括以下具体步骤:步骤1:拉制分段:首先将单晶的拉制过程的循环段分为单数段和双数段;在单晶拉制过程中会进行多段单晶的拉制,单数段和双数段交替衔接,最后拉制的一段单晶为完结段;步骤2:调整留埚量系数:在每段单晶拉制过程中均需要向坩埚内投放原料,调整坩埚的留埚量系数,使单数段的留埚量系数为0.47,双数段的留埚量系数为0.4。使单晶拉制的单数段和双数段坩埚内剩余材料量不同,使得液面高度频繁地发生变动,可避免坩埚侧壁因局部区域集中受热而热形变(鼓包)等问题的出现,进而坩埚的使用寿命得以延长。

    一种方硅棒往复磨工艺
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117001444A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310675463.7

    申请日:2023-06-08

    摘要: 本发明提供一种方硅棒往复磨工艺,属于机械加工技术领域,通过夹持转动机构对方硅棒进行夹持并实现转动;通过Y轴移动机构对夹持转动机构进行移动;通过打磨机构对方硅棒进行粗打磨和精打磨;通过X轴移动机构对打磨机构进行移动,本方案中通过安装轴转动可以实现粗磨轮和精磨轮转动,通过粗磨轮和精磨轮转动可以分别对方硅棒进行粗打磨和精打磨,通过电动伸缩杆C伸长可以实现齿条移动,通过齿条移动可以实现第二齿轮转动,通过第二齿轮转动可以实现转轴转动,通过转轴转动可以调整粗磨轮和精磨轮的位置,可以解决现有技术中方硅棒打磨设备无法实现方硅棒往复磨削,方硅棒加工及返修效率低的问题。

    一种环形金刚线切割硅棒的线切工艺

    公开(公告)号:CN116442406A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310448895.4

    申请日:2023-04-24

    IPC分类号: B28D5/04 B28D7/00

    摘要: 本发明涉及硅棒切割技术领域,具体涉及一种环形金刚线切割硅棒的线切工艺,包括以下步骤:S1、将环形金刚线安装在截断机的切割轮上,调整切割张力,并调整环形金刚线切割线速度;S2、根据需要得到的硅棒尺寸来计算得出硅棒切割的起始位置和最终位置的参数,将切割过程分为5段。本发明通过金钢线在出刀期间采用反向回线技术,降低钢线疲劳强度,与传统金刚线卷线线切工艺相比,大幅提高了截断机加工效率,提高了截断机单机产能,降低了机加生产成本,并且通过设置的位置增量,可以消除由于钢线磨损而造成的线切能力下降导致的硅棒无法切透及崩边等异常,提高了加工产品端面品质,降低了端面斜锯,提高了单晶硅短圆棒的良品率。

    一种用于N型单晶硅制备中母合金补掺装置及掺杂方法

    公开(公告)号:CN116240622A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202310051123.7

    申请日:2023-02-02

    IPC分类号: C30B15/04 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种用于N型单晶硅制备中母合金补掺装置,包括重锤(1),其顶部通过开口销(2)与钨丝绳(3)相连,其下部通过反旋螺纹(1b)与石墨夹头(4)相连,石墨夹头(4)的下部与籽晶(5)相连;籽晶(5)的下端与掺杂剂储存包(6)相连,掺杂剂储存包(6)的内部设有储料腔(6a),且其包括相连的梯形段(61)和直壁段(62),掺杂剂储存包(6)的直壁段(62)上均布一圈通孔二(6b)。本发明的优点是可以准确快速地加入母合金,保证单晶硅棒的电阻率均匀性,实现电阻率的精准控制,提高单晶硅棒的品质,适用于N型或P型单晶硅的制备。