- 专利标题： 在异位法高温超导薄膜中引入柱状缺陷的方法
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申请号： CN202010770668.X申请日： 2020-08-04
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公开(公告)号： CN111825444B公开(公告)日： 2022-08-19
- 发明人: 蔡传兵 , 黄荣铁 , 陈静 , 刘志勇 , 豆文芝 , 王涛 , 白传易
- 申请人： 上海上创超导科技有限公司 , 上海大学
- 申请人地址： 上海市奉贤区望园路2066弄4号楼;
- 专利权人： 上海上创超导科技有限公司,上海大学
- 当前专利权人： 上海上创超导科技有限公司,上海大学
- 当前专利权人地址： 上海市奉贤区望园路2066弄4号楼;
- 代理机构： 上海浦东良风专利代理有限责任公司
- 代理商 张劲风
- 主分类号： H01L39/12
- IPC分类号： H01L39/12 ; H01L39/00 ; C23C14/08 ; H01B13/00 ; B23K26/382 ; C04B35/45 ; C04B35/622
摘要：
本发明涉及一种在异位法高温超导薄膜中引入柱状缺陷的方法，主要解决激光辐照用于制造柱状缺陷需要能量量级很高的技术问题。本发明开创性地提供了一种在YBCO超导薄膜带材成相中间过程，通过飞秒激光辐照引入柱状缺陷的方法。即在制备过程中进行中间产品表面的垂直方向的各类辐照，产生择优取向的缺陷，进而在最终产品中引入柱状缺陷。提高YBCO超导带材实际应用。
公开/授权文献
- CN111825444A 异位法高温超导薄膜及其涂层导体柱状缺陷的引入方法 公开/授权日：2020-10-27
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