发明公开
- 专利标题: 一种利用非晶碳低温制备石墨烯的方法
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申请号: CN202010610464.X申请日: 2020-06-30
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公开(公告)号: CN111826610A公开(公告)日: 2020-10-27
- 发明人: 吴艳霞 , 于盛旺 , 刘颖 , 刘云琳 , 高洁 , 黑鸿君 , 周兵 , 马永
- 申请人: 太原理工大学
- 申请人地址: 山西省太原市万柏林区迎泽西大街79号
- 专利权人: 太原理工大学
- 当前专利权人: 太原理工大学
- 当前专利权人地址: 山西省太原市万柏林区迎泽西大街79号
- 代理机构: 太原市科瑞达专利代理有限公司
- 代理商 申艳玲
- 主分类号: C23C14/06
- IPC分类号: C23C14/06 ; C23C14/58 ; C23C14/35 ; C23C16/26 ; C23C16/50 ; C23C16/56
摘要:
本发明公开了一种利用非晶碳低温制备石墨烯的方法。在真空腔体中使用Ni、Fe、Co其中一种磁性金属作为基台,在基台处设置电磁铁,在加偏压的情况下,基台处形成了由闭合磁场约束的等离子氛围,基底置于基台上,基台元素被反溅射到基底上,依次通过反溅射基台、溅射碳靶材或者离化含碳气体,在基底上沉积磁性金属/非晶碳多层薄膜,然后使用热处理炉,通过控制退火温度和退火时间,最终得到不同层数和不同结晶度的石墨烯。使用该方法制备的石墨烯层数可控、质量高、均匀性好,同时操作简便、成本低廉。
公开/授权文献
- CN111826610B 一种利用非晶碳低温制备石墨烯的方法 公开/授权日:2022-11-15
IPC分类: