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公开(公告)号：CN115747604B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202211513271.8
申请日：2022-11-30
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明涉及一种Mo基高熵合金及其应用，属于表面改性技术领域，解决连续金刚石涂层与高熵合金基底结合力较差、涂层生成后极易脱落的技术问题，解决方案为：Mo基高熵合金按照表达式MoxM的形式进行配比，式中X的取值为0.4、0.5或者0.6，M表示Ti元素、Zr元素、Hf元素、Ta元素、W元素或者Nb元素中的4~6种元素，并且所述4~6种元素以等原子比例组合。通过合金制备及真空退火得到Mo基高熵合金，再通过碳化及金刚石生长工艺处理，最终获得由表及里依次为金刚石/高熵碳化物层/合金材料的硬质涂层。通过本发明获得材料及涂层表面硬度、耐腐蚀性等均得到
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公开(公告)号：CN113774344B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111019565.0
申请日：2021-09-01
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明公开了一种钛硅共掺杂非晶碳氮复合薄膜的制备方法，首先将基体材料用金刚石微粉超声预处理后固定在真空镀膜室的旋转样品台上，调节基体与溅射靶之间距离；将镀膜室抽至本底真空后通入惰性气体或氮气，对基体表面进行离子溅射清洗；然后以高纯铬或硅靶作为脉冲直流磁控溅射的阴极靶材，在基体表面制备铬或硅薄膜缓冲层；最后以高纯钛柱、硅柱和石墨盘镶嵌组成的复合靶作为射频磁控溅射的阴极靶材，同时通入氩气、甲烷和氮气，在缓冲层表面制备钛硅共掺杂的非晶碳氮复合薄膜。本发明实现了非晶碳氮薄膜中的钛硅含量可调、非晶碳氮相、氮化硅相以及纳米晶石墨相和氮化物相的结构可控，得到的复合薄膜具有高硬度、高模量和低磨损率。
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公开(公告)号：CN113586050B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110762506.6
申请日：2021-07-06
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明为一种含金刚石的高耐磨截齿及其制备方法，解决了现有截齿耐磨性能不足、制备工艺复杂等问题。本发明截齿包括齿体和硬质合金头，齿体的齿头外壁偏上位置设置有护齿条及含金刚石颗粒的硬质冶金层。制备时先制备齿体毛坯并预处理，然后在齿头上制备护齿槽并涂有机粘结剂，护齿条粘结在护齿槽内，接着喷洒金刚石耐磨颗粒或立方氮化硼颗粒以及金属合金粉末，之后进行真空加热使之熔合，最后再焊接硬质合金头并置于淬火液中去除应力即可。本发明截齿设计科学、结构合理，制备方法简单易行，截齿成本增加较少，耐磨性能高，使用寿命可提升5倍以上。
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公开(公告)号：CN114834105B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210457550.0
申请日：2022-04-28
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明提供了一种高热导率金刚石碳纤维复合材料及其制备方法。该复合材料是主要由自支撑金刚石膜片、碳纤维、金刚石条以及粘结剂复合而成。制备时，首先获得自支撑金刚石膜片及金刚石条，然后对膜片进行开孔，通过粘结剂粘结膜片和碳纤维层，重复操作直至复合材料的厚度达到需求，最后在孔内穿插金刚石条并用粘结剂粘结，待粘结剂固化后即获得高热导率金刚石碳纤维复合材料。本发明复合材料具有高导热、高强度、高韧性、低密度的优点，制备过程简单、成本低，易规模化、批量化生产。
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公开(公告)号：CN115930123A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211513319.5
申请日：2022-11-30
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： F21K9/20 , F21V29/85 , F21V29/89 , F21V29/70 , F21V29/58 , F21V29/56 , F21V21/00 , F21Y115/10
摘要： 一种带有散热装置的高功率LED灯及其制备方法，属于照明装置散热技术领域，解决高功率LED灯工作时自身发热严重导致的性能及寿命受到影响的技术问题，解决方案为：本装置包括散热底座、高功率LED灯和电磁泵，散热底座包括散热壳体和端盖，端盖与散热壳体的上端面相配合，散热壳体内圈的侧壁和外圈的侧壁之间设置凹槽，凹槽内填充开孔泡沫铜材料以及液态金属冷却液；电磁泵安装于散热壳体的驱动区，高功率LED灯安装于散热壳体的传热区，电磁泵驱动液态金属冷却液在凹槽内以及开孔泡沫铜材料的孔隙内流动传热。本发明还提供了带有散热装置的高功率LED灯的制备方法，制得的本装置散热效率优良，能够满足高功率LED灯的使用要求。
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公开(公告)号：CN115866904A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211558950.7
申请日：2022-12-06
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： H05K3/02 , H05K1/09 , H05K3/04 , H05K3/06 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/30 , C23C16/511 , C23C16/27 , C23C28/00 , C23C14/32 , C23C14/02
摘要： 本发明为一种纳米粒子增强金属‑金刚石印刷电路板的制备方法，属于金刚石电路板技术领域。本发明电路板是以高导热金刚石作为散热基体，纳米粒子增强金属作为电路图线；制备时，首先在金刚石基板上加工出电路图线，其次将金刚石基板置于含有碳化物易形成金属和高导电金属纳米粒子的混合液中进行超声植晶，然后去除电路图线外的植晶元素并进行高温处理，最后沉积高导电金属元素膜层并去除电路图线外的金属膜层，最终获得纳米粒子增强金属‑金刚石印刷电路板。本发明操作方法简便、节约能源、环境友好，同时电路路线的尺寸和密度可调节性好，导电性能和结合性能优异，同时金刚石基体具有高导热、高强度、耐腐蚀等优点。
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公开(公告)号：CN115287623A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210958248.3
申请日：2022-08-11
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明为一种曲面形金刚石膜片的制备方法，属于金刚石制备技术领域。本发明方法是选取一个圆片形单晶硅基片以及一个或多个不同外缘尺寸的圆环形单晶硅基片，根据外缘尺寸从大到小依次叠加放置各圆环形单晶硅基片及圆片形单晶硅基片，并且每放置一层后就通过化学气相沉积法在其外侧面沉积一层金刚石膜，最后去除所有硅基片获得自支撑金刚石膜片，通过修整即得到完整的曲面形金刚石膜片。本发明方法制备的曲面形金刚石膜片整体厚度均匀，应力小，质量可控且形状可调，制备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN114914212A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210477143.6
申请日：2022-05-03
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/46 , B24B1/00 , B24B29/02 , C01B32/28
摘要： 一种用于集成芯片散热的金刚石微流道结构及其制备方法，属于金刚石芯片散热领域，金刚石微流道结构包括集成芯片、单晶金刚石、微流道和多晶金刚石层；微流道结构通过先行预置长条形金属棒，在生长多晶金刚石后再腐蚀掉金属的方法制备获得。本发明通过将集成芯片工作时产生的高热量转移到金刚石中，热量通过金刚石传递到微流道，通过压力装置驱动微流道中流体流动导出热量；上层单晶金刚石中的热量也可以传导到下层的多晶金刚石，多晶金刚石的热量也可通过微流道内的流体传递导出。底层多晶金刚石外表面抛光，以便于整个结构与外部的连接或者是与其他辅助散热装置进行接触，以进一步提高该金刚石微流道结构的解热能力。
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公开(公告)号：CN113403577B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110700140.X
申请日：2021-06-23
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C16/04 , C23C16/02 , C23C16/26 , C23C16/50 , C23C14/35 , C23C14/48
摘要： 本发明公开一种提高Cu基体与碳基薄膜结合力的方法。该方法是通过以下步骤实现的：采用双辉渗金属技术在覆有模板的Cu基体表面制备亲碳金属过渡层骨架，去除模板后采用该技术对基体及骨架表面进行高密度Ar+轰击刻蚀处理，提高碳原子的成核密度，最后通过溅射镀膜或等离子化学气相沉积法在图形化的基体上沉积碳基薄膜，提高碳基薄膜与Cu基体的结合力。该方法具有过程简单、可控性好、绿色环保等优点。
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公开(公告)号：CN111850484B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010723691.3
申请日：2020-07-24
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明公开了一种制备强韧化非晶碳基多相杂化薄膜的装置及方法。该装置为射频磁控溅射辅助直流和脉冲阴极电弧多激发源等离子体镀膜装置，制备方法包括：将预处理后的基体烘干，放置于多激发源等离子体镀膜装置的旋转样品台上；抽真空，通入氩气到真空室，采用离子源对基体表面进行溅射清洗；分别以高纯金属铝、钛和石墨片作为磁控溅射靶材、直流和脉冲阴极电弧的蒸发靶材，通入氩气和氮气，根据纳米晶和非晶相形成规律设计多相杂化薄膜结构，调节样品台转速，采用多激发源等离子体技术引入功能掺杂元素和梯度中间层制备非晶碳基多相杂化薄膜。本发明制备的非晶碳基多相杂化薄膜结构可调、相组成分布可控，具有高硬度、高粘附强度和强韧性。
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