发明公开
- 专利标题： 半导体装置
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申请号： CN201910307968.1申请日： 2019-04-17
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公开(公告)号： CN111834284A公开(公告)日： 2020-10-27
- 发明人: 温文华 , 刘家慎 , 陈文钟 , 林崇荣
- 申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区
- 专利权人： 世界先进积体电路股份有限公司
- 当前专利权人： 世界先进积体电路股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 王天尧; 任默闻
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762
摘要：
本发明提供了一种半导体装置，包括基板以及导通结构。基板具有第一导电类型。基板包括第一隔离区、第一注入区及第二注入区。第一隔离区设置于基板的周围。第一注入区具有第一导电类型。第二注入区具有第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。导通结构设置于基板上，且至少部分导通结构位于第一隔离区之上。本发明能有效降低半导体装置中的寄生电容，并改善线路的电阻电容延迟。
公开/授权文献
- CN111834284B 半导体装置 公开/授权日：2024-08-27
IPC分类:
