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公开(公告)号：CN109801769A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201711133754.4
申请日：2017-11-16
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
发明人： 刘家慎
摘要： 本发明公开了一种电感结构，形成于一基底之上，并在第一至第四象限里延伸。电感结构包括一输入导线、一输出导线以及一导线。导线连接于输入导线与输出导线之间。导线的第一部分从一起始点开始延伸，经过第二象限、第四象限里，结束在一结束点。导线的第二部分从起始点开始延伸，经过第三象限里、第一象限里延伸，并结束在结束点。
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公开(公告)号：CN112701150A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201911010030.X
申请日：2019-10-23
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/861
摘要： 本发明提供一种半导体结构，包括：一基板；条状第一掺杂区，形成于该基板中；条状第二掺杂区，形成于该基板中，分别位于多个条状第一掺杂区之间，其中条状第一掺杂区的掺杂型式与条状第二掺杂区的掺杂型式相反；一第三掺杂区，形成于该基板中，包围条状第一掺杂区与条状第二掺杂区，其中该第三掺杂区的掺杂型式与该等条状第二掺杂区的掺杂型式相同；以及一第四掺杂区，形成于该基板中，位于该等条状第一掺杂区、该等条状第二掺杂区与该第三掺杂区下方，其中该第四掺杂区的掺杂型式与该等条状第二掺杂区的掺杂型式相同。本发明可提供一种可提升高压二极管元件的结击穿电压并维持同一电路系统中其他高压元件的电性稳定的半导体结构。
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公开(公告)号：CN111834284A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910307968.1
申请日：2019-04-17
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明提供了一种半导体装置，包括基板以及导通结构。基板具有第一导电类型。基板包括第一隔离区、第一注入区及第二注入区。第一隔离区设置于基板的周围。第一注入区具有第一导电类型。第二注入区具有第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。导通结构设置于基板上，且至少部分导通结构位于第一隔离区之上。本发明能有效降低半导体装置中的寄生电容，并改善线路的电阻电容延迟。
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公开(公告)号：CN111834284B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201910307968.1
申请日：2019-04-17
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明提供了一种半导体装置，包括基板以及导通结构。基板具有第一导电类型。基板包括第一隔离区、第一注入区及第二注入区。第一隔离区设置于基板的周围。第一注入区具有第一导电类型。第二注入区具有第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。导通结构设置于基板上，且至少部分导通结构位于第一隔离区之上。本发明能有效降低半导体装置中的寄生电容，并改善线路的电阻电容延迟。
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公开(公告)号：CN117497539A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210877123.8
申请日：2022-07-25
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/32 , H01L21/322 , H01L21/762
摘要： 一种半导体器件，包括绝缘基层、半导体层、绝缘层、隔离沟渠及吸除部位。半导体层及绝缘层依序设置于绝缘基层之上，且隔离沟渠设置于半导体层中且贯穿绝缘层。隔离沟渠由上至下包括第一截面、第二截面及第三截面，第一截面高于绝缘层的底面，第二截面及第三截面低于绝缘层的底面。吸除部位设置于半导体层中且接触隔离沟渠，吸除部位的顶点低于第二截面。
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公开(公告)号：CN109801769B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201711133754.4
申请日：2017-11-16
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
发明人： 刘家慎
摘要： 本发明公开了一种电感结构，形成于一基底之上，并在第一至第四象限里延伸。电感结构包括一输入导线、一输出导线以及一导线。导线连接于输入导线与输出导线之间。导线的第一部分从一起始点开始延伸，经过第二象限、第四象限里，结束在一结束点。导线的第二部分从起始点开始延伸，经过第三象限里、第一象限里延伸，并结束在结束点。
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