- 专利标题: 低电磁损耗的硅基氮化镓微波毫米波传输线及其制备方法
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申请号: CN202010530384.3申请日: 2020-06-11
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公开(公告)号: CN111834344B公开(公告)日: 2021-12-21
- 发明人: 刘志宏 , 宋昆璐 , 张进成 , 刘俊伟 , 郝璐 , 周弘 , 赵胜雷 , 张苇杭 , 段小玲 , 郝跃
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 代理机构: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 李园园
- 主分类号: H01L23/66
- IPC分类号: H01L23/66 ; H01P3/00 ; H01P11/00
摘要:
本发明公开了一种低电磁损耗的硅基氮化镓微波毫米波传输线及其制备方法,该硅基氮化镓微波毫米波传输线包括硅衬底;三族氮化物外延层,设置在硅衬底的上表面;高频信号金属电极,设置在三族氮化物外延层的上表面;接地金属电极,设置在高频信号金属电极的两侧和/或硅衬底的下表面,其中,在硅衬底与三族氮化物外延层之间包括内部空腔,内部空腔的至少一部分开设在硅衬底中。该硅基氮化镓微波毫米波传输线能够有效减小硅基氮化镓材料的电磁损耗,提高了硅基氮化镓微波毫米波器件的输出功率和效率,满足微波毫米波射频电路和系统的应用要求。
公开/授权文献
- CN111834344A 低电磁损耗的硅基氮化镓微波毫米波传输线及其制备方法 公开/授权日:2020-10-27
IPC分类: