发明公开
- 专利标题: 切趾长周期光纤光栅刻写装置、刻写方法以及激光系统
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申请号: CN202010737644.4申请日: 2020-07-28
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公开(公告)号: CN111856644A公开(公告)日: 2020-10-30
- 发明人: 王泽锋 , 胡琪浩 , 王蒙 , 李宏业 , 田鑫 , 赵晓帆 , 饶斌裕 , 奚小明 , 陈子伦 , 潘志勇 , 王小林 , 许晓军 , 陈金宝
- 申请人: 中国人民解放军国防科技大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 专利权人: 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人: 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 代理机构: 长沙国科天河知识产权代理有限公司
- 代理商 周达
- 主分类号: G02B6/02
- IPC分类号: G02B6/02
摘要:
一种切趾长周期光纤光栅刻写装置、刻写方法以及激光系统。刻写装置包括二氧化碳激光器、扩束透镜组、扫描振镜、聚焦场镜以及光纤操作移动平台,二氧化碳激光器输出的激光的传输路径上依次设置有扩束透镜组、扫描振镜以及聚焦场镜,聚焦场镜的正下方设置有光纤操作移动平台,所述待刻写切趾长周期光纤光栅的光纤安装在光纤操作移动平台,从聚焦场镜出射的激光能够入射到安装在光纤操作移动平台上的光纤上实现切趾长周期光纤光栅刻写。采用上述刻写方法得到的长周期光纤光栅设置到激光器系统中,利用长周期光纤光栅在拉曼波段的高损耗性,以抑制受激拉曼散射。利用刻写装置刻写切趾长周期光纤光栅,能够消除由于逐点曝光刻写法导致的折射率突变。
公开/授权文献
- CN111856644B 切趾长周期光纤光栅刻写装置、刻写方法以及激光系统 公开/授权日:2023-10-03