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公开(公告)号:CN118712853B
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202411188479.6
申请日:2024-08-28
申请人: 中国人民解放军国防科技大学
摘要: 本发明提供一种基于后向振荡放大协同效应的高功率拉曼光纤激光系统,包括后向多模泵浦信号合束器、放大拉曼增益光纤、拉曼谐振腔,所述后向多模泵浦信号合束器的第一端具有多根泵浦输入臂以及一根信号输出臂,其中各泵浦输入臂分别对应连接一个泵浦源,所述信号输出臂作为信号光的输出光纤,所述后向多模泵浦信号合束器的第二端连接放大拉曼增益光纤的第一端,放大拉曼增益光纤的第二端连接拉曼谐振腔。本发明基于后向多模泵浦信号合束器可以将前向传输的泵浦光和后向传输的信号光集成在一起,在泵浦输入端迅速将信号光进行放大,减少高功率信号光在光纤中的传输距离,进而可以有效的抑制高阶拉曼的增长。
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公开(公告)号:CN118884614A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202411386535.7
申请日:2024-09-30
申请人: 中国人民解放军国防科技大学
摘要: 一种保偏单模强拉锥光纤合束器、制备方法及应用,包括保偏单模光纤束、普通单模光纤束和锥区玻璃套管;所述保偏单模光纤束中的每根保偏单模光纤的末端分别对应与所述普通单模光纤束中一根普通单模光纤的粗端熔接,形成合束器的N路保偏单模‑普通单模光纤,所述锥区玻璃套管包裹在普通单模光纤束外侧;通过对锥区玻璃套管以及穿入锥区玻璃套管中的N根按照六角密积阵列形式紧密排列的普通单模光纤一同进行强拉锥,形成锥区,在普通单模光纤束细端处形成光纤阵列端面。本发明应用于光纤激光相干合成系统,能够满足阵列光束高占空比的要求,还可在小合成孔径情况下实现大数量光束合成和更大角度的相控式光束偏转。
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公开(公告)号:CN118630564B
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202411097151.3
申请日:2024-08-12
申请人: 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号: H01S3/07 , H01S3/23 , H01S3/067 , H01S3/094 , H01S3/08031
摘要: 本发明提供一种大功率单模光纤激光系统,包括:种子激光器和主放大器,种子激光器输出的种子激光注入到主放大器进行功率放大后输出,主放大器中包括增益光纤;增益光纤包括2N+1个区段,N大于等于1,奇数区段即第1区段、第3区段...第2N+1区段为纤芯和包层均匀的区段,且第1区段、第3区段...第2N+1区段的纤芯、包层直径逐渐递增;偶数区段即第2区段、第4区段...第2N区段为锥形过渡区段;种子激光从增益光纤的小芯径端注入,并引入弯曲损耗机理实现对TMI效应的有效抑制,通过在增益光纤的最大芯径端输出信号激光并利用后向泵浦方式实现对SRS效应的有效抑制,最终实现大功率单模光纤激光输出。
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公开(公告)号:CN118091830A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202410380001.7
申请日:2024-03-29
申请人: 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号: G02B6/036
摘要: 本发明提出一种提高大模场增益光纤模式不稳定抑制能力的方法及大模场增益光纤,包括纤芯和由内之外包覆在纤芯外的第一包层、第二包层......第n包层,所述第一包层的折射率低于所述纤芯的折射率,在纤芯的折射率和纤芯中增益掺杂剂分布情况一定的情况下,通过将第一包层的折射率分布设计为沿着光纤径向向外均匀降低直到等于所述第二包层的折射率;所述第n包层的折射率低于第n‑1包层的折射率,如此能够有效增大大模场增益光纤中高阶模式的损耗,提高大模场增益光纤模式不稳定抑制能力。本发明能够在不需要改变大模场增益光纤的纤芯折射率和纤芯增益掺杂剂分布情况下,能够设计出具有良好的模式不稳定抑制能力的大模场增益光纤。
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公开(公告)号:CN109149335B
公开(公告)日:2024-05-17
申请号:CN201811234404.1
申请日:2018-10-23
申请人: 中国人民解放军国防科技大学
摘要: 一种抑制受激拉曼散射的波长镀膜端帽组,包括第一端帽和第二端帽,两个端帽均包括光纤和石英块;石英块由连接端面尺寸相同的圆台、柱体和输出曲面体依次连接而成;光纤的一个端面与圆台的较小端面熔接,形成界面;光纤的纤芯中心线延长线为圆台和柱体和输出曲面体的中心线;输出曲面体的曲面以光纤的纤芯中心延长线与界面的交点为球心、以石英块中心线在圆台和柱体和输出曲面体内的长度之和为曲率半径,输出曲面体的曲面上有镀膜,第一端帽曲面上的镀膜对900‑1000纳米和1060‑1100纳米波段高反射;第二端帽曲面上的镀膜对1060‑1100纳米波段低反射,其他波段全透射。
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公开(公告)号:CN117748273A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311757892.5
申请日:2023-12-20
申请人: 中国人民解放军国防科技大学
摘要: 本发明提出一种光纤激光放大器抑制受激拉曼散射效应的方法及评价方法,通过在待优化光纤激光放大器中增加一个新种子激光器,新种子激光器和原种子激光器的输出的两种子激光通过信号耦合器耦合成一路激光,注入光纤激光放大器的增益光纤中实现功率放大,其中新种子激光器输出激光的时域稳定性优于原种子激光器输出激光的时域稳定性;利用两种子激光在光纤激光放大器的主放大级功率放大过程中的四波混频效应,实现对整体注入种子激光在主放大级功率放大过程中时域和光谱特性的调控,有效提高激光时域稳定性或展宽激光光谱宽度,减小有效拉曼增益系数,进而抑制受激拉曼散射效应,提高光纤激光放大器的受激拉曼散射效应阈值。
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公开(公告)号:CN117430326A
公开(公告)日:2024-01-23
申请号:CN202311373159.3
申请日:2023-10-23
申请人: 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号: C03B37/012 , C03B37/018 , C03B37/027 , C03C25/105 , C03C25/106 , C03C25/12 , C03C25/24 , G02B6/02 , H01S3/067
摘要: 本发明提出一种多芯光纤制备方法、多芯光纤及光纤振荡器,包括:准备内石英管并进行研磨加工;对研磨加工后的内石英管进行芯层沉积,在芯层沉积形成的疏松层内掺杂稀土离子,并通过加热沉积芯层的内石英管以除去内石英管与芯层之间的缝隙,烧结缩棒得到单芯预制棒;准备外石英管,并将N根单芯预制棒平行置于外石英管进行套管组束,并使用实心石英棒对单芯预制棒之间的空隙进行填充,控制相邻单芯预制棒之间纤芯与纤芯之间的间隔,从而得到多芯预制件;将多芯预制件置入拉丝塔进行拉丝和涂覆,得到多芯光纤。本发明可以确保多芯光纤中各个芯光信号的独立传输,有利于提高光纤整体的TMI阈值。
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公开(公告)号:CN111856644B
公开(公告)日:2023-10-03
申请号:CN202010737644.4
申请日:2020-07-28
申请人: 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号: G02B6/02
摘要: 一种切趾长周期光纤光栅刻写装置、刻写方法以及激光系统。刻写装置包括二氧化碳激光器、扩束透镜组、扫描振镜、聚焦场镜以及光纤操作移动平台,二氧化碳激光器输出的激光的传输路径上依次设置有扩束透镜组、扫描振镜以及聚焦场镜,聚焦场镜的正下方设置有光纤操作移动平台,所述待刻写切趾长周期光纤光栅的光纤安装在光纤操作移动平台,从聚焦场镜出射的激光能够入射到安装在光纤操作移动平台上的光纤上实现切趾长周期光纤光栅刻写。采用上述刻写方法得到的长周期光纤光栅设置到激光器系统中,利用长周期光纤光栅在拉曼波段的高损耗性,以抑制受激拉曼散射。利用刻写装置刻写切趾长周期光纤光栅,能够消除由于逐点曝光刻写法导致的折射率突变。
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公开(公告)号:CN115901193B
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202310026249.9
申请日:2023-01-09
申请人: 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号: G01M11/02
摘要: 本申请涉及一种刻写一体化谐振腔时光纤光栅参数测量方法和系统,由于在正在刻写的光纤光栅与测量系统之间设置标尺光纤光栅,使得在进行高反光纤光栅的刻写时,能够通过测量系统实时获取高反光纤光栅与标尺光纤光栅的第一反射谱,根据第一反射光谱可以在线计算正在刻写的高反光纤光栅的反射率等光谱参数直至高反光纤光栅的光谱参数满足目标参数;当开始进行低反光纤光栅的刻写时实时获取标尺光纤光栅、高反光纤光栅以及正在刻写的低反光纤光栅的第二反射谱。完成刻写的高反光纤光栅可以视为“标尺”与预设的标尺光纤光栅一并作为参考完成低反光纤光栅的光谱参数测量。本发明能够实时并准确测量正在刻写的一体化谐振腔的光谱参数。
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公开(公告)号:CN115275746A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210865493.X
申请日:2022-07-21
申请人: 中国人民解放军国防科技大学
摘要: 本发明涉及光纤激光器和光纤放大器领域,具体涉及一种基于气体制冷的一体化大功率光纤激光输出系统,通过流动的气体将光纤的涂覆层和包层光滤除部分产生的热量带走,流动的气体完全接触整个光纤表面以达到整根输出光纤的高效制冷,可实现整个输出光纤涂覆层表面、包层光滤除组件、光纤与端帽的熔接点处的高效制冷,克服了常规输出光纤涂覆层表面完全没有制冷的弊端,尤其是随着输出激光功率和光纤长度增加导致拉曼效应急剧增强的情况下,光纤涂覆层表面温度可以得到有效控制。相比于传统的水冷方式,本发明能够对整个输出光纤进行制冷,也能避免输出光纤、包层光滤除组件和光纤与端帽的熔接点长期处于冷却水浸泡环境下导致器件性能下降的情况。
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